![](http://www.casmita.com/file/upload/202006/08/132906811.jpg)
英诺赛科氮化镓项目计划年底试产
![](http://www.casmita.com/file/upload/202006/08/132906811.jpg)
据悉,英诺赛科氮化镓项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,主要建设从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。
该项目建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
英诺赛科CEO孙在亨曾表示,该项目建成后将填补我国高端半导体器件的产业空白。同时,该项目也是该领域全球首个大型量产基地,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业核心电子元器件。
推荐
全部
原创
- 1
IFWS 2022前瞻:超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会日程公布
7878
- 2
众星云集!化合物半导体激光器技术分论坛最新日程出炉——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
4909
- 3
第三届紫外LED国际会议将于11月14-16日在山西长治召开
1973
- 4
IFWS 2022前瞻:氮化物衬底材料生长与外延技术分会日程出炉
1915
- 5
济南宽禁带半导体小镇一期项目基本完成 未来将形成千亿级产业集群
1814
- 6
厦门科学技术奖重磅揭晓,12位科研人员获重大贡献奖、创新杰出人才奖
1781
- 7
第三代半导体六英寸氮化镓项目落户广西桂林
1770
- 8
总投资30亿美元,梧升半导体IDM项目签约
1761
- 9
泉州半导体高新区全力推动园区高质量发展
1715
热门
全部
原创