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苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

广东工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。

全球领先的运动控制、节能系统电源及传感解决方案供应商 Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称Allegro，纳斯达克股票代码：ALGM

华中科技大学研究团队在AlGaN基远紫外LED光源领域取得重要进展

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，北京大学特聘副研究员王嘉铭将受邀出席论坛，并带来《III族氮化物AlGaN基紫外发光器件结构堆垛研究》的主题报告，敬请关注！

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结

近日，澳大利亚激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模

官员们正在确定哪些设备需要获得出口至中国的许可。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室许福军、沈波团队创新

据韩媒 Elec 报道，由于苹果公司决定放慢新型面板的应用速度，目前该公司已取消推出搭载 Micro-LED 屏幕的 Apple Watch 手表。在

据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法，授权公告号CN114373837B，申请

张家港经济技术开发区、杉杉控股与全球偏光片头部企业韩国LG化学合资合作 LCD 偏光片项目签约仪式举行，省委常委、市委书记蓝绍敏出席活动并致辞。杉杉控股有限公司董事局主席郑永刚、韩国LG 化学中国偏光板总括常务朱志勇出席签约仪式。