第三代半导体产业数字化公共服务平台

研究员黄森：基于超薄壁垒AlGaN GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造

中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出

张连：选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择

光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展

日本理化所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究进展

第三代半导体产业数字化公共服务平台

推荐

热门