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近日，深圳平湖实验室在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压 GaN E-HEMT（增强型高

HORIBA集团半导体事业部半导体量测产品经理熊洪武带来了《光致发光光谱技术在化合物半导体中的应用》的主题报告，分享了相关研究最新进展及成果，涉及化合物半导体及外延工艺、光致发光应用（PL光谱成像、PL强度成像）等内容。

九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

广东工业大学、河北工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授课题组联合中国科学院半导体研究所刘乃鑫副研究员、闫建昌研究员课题组，在提升AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）光提取效率、提高空穴注入效率、降低金属/p型半导体界面势垒方面取得重要突破。

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告，分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。

苏州思体尔软件科技有限公司高级工程师贾胜敏带来了《基于模拟的蓝光LED在VLC应用中的带宽分析》的主题报告，分享了相关成果，涉及模拟模型与模拟方法、异质结构仿真结果、芯片仿真结果等内容。

武汉思波微智能科技有限公司新工厂开工装修仪式圆满举行，正式作为首批半导体设备研发制造企业入驻武汉芯光产业园。

中建三局华东公司承建的上海新阳年产5万吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目开工。

固特杰IGBT散热器件项目共计划建设两条产线，目前在手订单2亿元，生产周期已排至明年3月。IGBT散热器件项目自今年2月起设备陆续进场，目前产线安装进度已完成50%，正处于调试阶段。项目计划明年1月正式投产，预计2026年年销售额可达3亿元。

在这场技术竞逐中，氮化镓（GaN）功率器件被誉为“下一代功率半导体”，却因栅极可靠性不足、制造工艺尚不成熟等瓶颈，长期受限于中低功率领域，难以在千瓦级高密度电源系统中实现规模化落地。如今，这一僵局被来自德清的创新企业湖州镓奥科技有限公司打破。

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：全系列12英寸碳化硅衬底全球首发

浙江省建德市钦堂乡蒲田村的LED照明产业改性工程塑料项目一期工程主体已完成结顶，当前现场正推进后续施工。

香港大学先进半导与集成电路研究中心副主任、教授张宇昊做了“面向系统应用的氮化镓功率器件的稳定性、可靠性和鲁棒性”的主题报告。

中国科学院近代物理研究所副研究员胡培培做了“GaN材料及器件重离子辐照效应研究进展”的主题报告，分享了GaN材料辐照损伤研究、GaN器件单粒子效应研究成果。

当前，南京大学已开展面向航天应用的GaN功率器件设计与流片。逐渐建立GaN功率器件设计与流片能力，开展多轮4/6英寸流片工作，研制抗辐照GaN功率器件。团队在国家大科学装置开展了大量的辐照实验。

在全球芯片供应紧张的大背景下，中国存储芯片企业正在积极作为，为保障全球供应链稳定发挥越来越重要的作用。国产DRAM龙头企业，长鑫科技近期在技术创新和产品研发方面取得了一系列突破性进展。