第三代半导体产业数字化公共服务平台

华彩光电华中基地在蔡甸经济开发区正式投产，电子级保护膜量产成功。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。

睿合科技在合肥高新区举行了“睿合科技创新事业研发中心及显示应用整合制造基地”项目的开工奠基仪式。

苏州纳米所孙钱研究员团队成功研制出一种基于AlGaN/GaN异质结的硅基氮化镓“近无接入区”金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）器件，基于结构创新，在较为宽松的加工精度条件下，有效降低了膝点电压，并在低压应用中展现出卓越的直流与射频性能。

天津三安光电有限公司芯片开发部部长高守帅在“光医疗与健康技术”分会上带来了《光医疗应用GaAs基LED光源现状和技术挑战》的主题报告。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

厦门光莆电子股份有限公司研究院副院长王清在“生物农业照明技术”分会上带来了《数字之光，照亮农业现代化未来》的主题报告，分析了植物照明市场，光莆植物照明系统，补光系统研究等内容。

习近平总书记强调，“推动高质量发展，最重要是加快高水平科技自立自强，积极发展新质生产力，在推动科技创新、加快培育新动能、促进经济结构优化升级上取得实质性、突破性进展。”党的二十届四中全会提出要加快高水平科技自立自强，引领发展新质生产力。这是以习近平同志为核心的党中央立足新形势新要求，深刻把握科技创新与经济社会高质量发展的内在规律作出的重大决策部署，凸显了科技的战略先导地位和根本支撑作用，为新时代加快高水平科技自立自强、引领发展新质生产力、建设现代化强国提供了根本遵循和行动指南。

苏州外延世电子材料有限公司二期半导体项目开工仪式隆重举行。

经过15个月的紧张施工，总投资约12亿元、建筑面积30余万平方米的池州经开区半导体特色生态产业园项目主体工程目前已完工，进入附属工程收尾阶段，计划于本月底交付使用。

长光华芯12月4日发布投资者关系活动记录表，公司于2025年12月4日接受27家机构调研。

车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC

据光谷动态消息，武汉光谷高新四路上的芯片厂，国内领先的半导体特色工艺12英寸晶圆代工企业武汉新芯集成电路股份有限公司，扩建

西安电子科技大学助理研究员杜丰羽带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告，分享了相关研究进展与成果。

深圳平湖实验室研究员查显弧带来了《通过添加金属元素调节β-Ga₂O₃的电子能带以及β-(RhxGa₁-x)₂O₃的p型导电性》的主题报告，分享了相关研究成果

厦门三安光电有限公司氮化镓事业部高级副总黄少华受带来了《MicroLED技术在微显示领域的机遇与挑战》的主题报告，分享了RGB MicroLED的挑战、AR微型LED开发、投影用MicroLED显示器等内容。

杭州镓仁半导体有限公司正式推出新品——“SCIENCE系列”科研级VB法长晶设备，专为2-6英寸氧化镓科研场景量身打造，以全自主核心技术助力科研工作者在长晶、掺杂、缺陷控制及材料性能优化等领域高效探索。

维信诺在清华大学“敏化荧光及OLED新材料专题技术发展论坛”上宣布，其与清华大学联合研发的第四代pTSF（磷光辅助热活化敏化荧光）技术已实现量产商用，标志着中国在OLED关键材料领域完成了从长期跟跑到自主引领的跨越，将屏幕的“光”真正握在自己手中。

福建晶旭半导体科技有限公司首席科学家，中山大学教授王钢在“超宽禁带半导体技术”分会上带来了《硅衬底氧化镓异质外延生长及应用》的主题报告，分析了大尺寸硅基氧化镓外延、硅基氧化镓器件及应用等内容。

杭州镓仁半导体有限公司首席技术官夏宁在“超宽禁带半导体技术”带来了《大尺寸氧化镓单晶生长及缺陷》的主题报告。