第三代半导体产业数字化公共服务平台

由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头制定，遵循CASASCSAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委

北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

此次突破不仅体现了科友在碳化硅晶体生长技术与热场设计方面的持续创新能力，设备自研＋工艺自主是公司在宽禁带半导体材料领域坚实技术实力的重要证明。

成都信息工程大学、宏电科技、广电计量等10家企业现场达成技术合作，双流区也与成都超纯应用材料股份有限公司、南京金理念信息技术有限公司等5家企业签约产业化项目、协议投资额近20亿元。

上海南芯半导体科技股份有限公司（证券简称：南芯科技，证券代码：688484）于2025年9月8日发布公告，详细说明了公司本次募集资金投向科技创新领域的具体情况。

南京大学庄喆、刘斌、张荣团队联合沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）、合肥工业大学等单位，成功开发出一种在非晶衬底（如二氧化硅SiO₂、石英）上实现高质量单晶III族氮化物半导体薄膜外延生长新技术。

据崇川在线公众号消息，9月4日，半导体封装材料项目签约落户市北高新区，崇川集成电路产业集群发展再添新动能。据悉，项目计划总

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，云南大学研究员史衍丽受邀将出席会议，并带来《1550nm InP/InGaAs 单光子探测器》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

镓仁半导体8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。

英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

高性能氮化镓（GaN）金属氧化物半导体（MOS）晶体管离不开具有低界面态和低漏电流的高质量MOS结构。然而，与SiO2/Si体系相比，氧

方正微电子副总裁/产品总经理彭建华发布了车规/工规碳化硅MOS 1200V全系产品碳化硅新品

格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

近日，特凯斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅衬底项目正式签约浙江仙居。

惠然微电子作为半导体量检测设备领域的领航者，携诸多核心技术成果亮相第十三届半导体设备与核心部件及材料展.

据涪陵高新区综保区消息，在涪陵高新区（涪陵综保区）重庆新陵微电子有限公司（以下简称重庆新陵微）6寸功率半导体厂房及配套设

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，连城数控半导体装备事业部/连科半导体有限公司总经理胡动力受邀将出席会议，并带来《8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。云南大学材料与能源学院（研究员、云南省重点实验室副主任）、云南中科鑫圆晶体材料有限公司科技副总经理王茺受邀将出席会议，并带来《GaSb基异质薄膜的磁控溅射生长机理及其光电探测性能研究》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！