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深圳平湖实验室超宽禁带半导体ZHANG Daohua、万玉喜团队和北京大学沈波教授及南方科技大学宋爱民教授团队合作，成功制备了国内首个氮化铝为垒层、富铝镓氮为沟道的 高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件。

GaN基蓝光激光器由于其亮度高、方向性好、体积小等优点在激光显示、激光照明和金属加工等领域有着广阔的应用市场和应用前景，近

2025年2月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长与加工技术方面取得了新突破，成功实现6英寸斜切氧化镓衬底的制备，其中衬底主面为(100)面沿 [00-1] 方向斜切4°。

DX65TA030是一款650V,30mΩ增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管，采用TOLL封装与宽禁带技术，实现高功率密度。具备开尔文连接，

6月23日，英诺赛科(02577.HK)公告，公司已于近日与广东威灵电机制造有限公司达成战略合作，成功在家电电机驱动领域实现突破。双

据越海集成消息，6月20日，广东越海集成技术有限公司首批MEMS制造设备正式入驻厂区，这标志着越海集成国内首条12英寸CMOS-MEMS智

天眼查信息，近日斯达半导体（重庆）有限公司成立，注册资本5000万元，经营范围为半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；集成

据靖江发布公众号消息，日前，新恒和半导体装备产业园项目开工。据悉，新恒和半导体装备产业园项目是靖江新恒和半导体科技有限公

半导体产业网获悉：近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司，股票代码：688012）宣布其刻蚀设备系列喜迎又

台积电2nm制程将量产，2028年底月产能将或达20万片。

国科学院微电子所高频高压中心刘新宇研究员/郑旭强研究员团队研制了一种基于ADC-DSP架构的112-Gb/s PAM-4调制重定时收发机。

中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在该领域研究取得重要突破！

6月20日，由北京市市场监督管理局、海淀区市场监督管理局联合主办的技术性贸易措施公共服务主题活动在东升科技园成功举办，中关

据咸宁高新消息，6月20日，高端滤波器芯片先进封装项目签约仪式在湖北省咸宁高新区举行，该项目由江西领航半导体科技有限公司和

亚芯专业从事超高纯薄膜材料(磁控溅射靶材)、蒸镀源(Slug)颗粒的生产和销售的高新技术企业。

美国芯片制造商Wolfspeed宣布将根据重组协议申请破产，该协议将消除数十亿美元的债务，并让债权人控制该公司。

天眼查显示， 长沙驰芯半导体科技有限公司近日取得一项名为一种用于UWB的定时恢复方法及装置的专利，授权公告号为CN119628682B，

深圳基本半导体股份有限公司在粤港澳大湾区的产能布局再获突破。6月4日，广东省投资项目在线审批监管平台公示显示，其全资子公司

天津大学近期在微型主动散热技术领域取得突破性进展，该校精密测试技术及仪器全国重点实验室庞慰/张孟伦课题组成功开发出一款高能效压电MEMS合成射流冷却器。

据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国使用美国技术（主要是半导体设备）的豁免。