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10月28日,在内江高新区高铁片区,长川科技内江集成电路封测设备研发制造基地二期项目开工。二期项目投产后,将显著提升内江在半

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11月11-14日,IFWS&SSLCHINA 2025将在厦门召开。作为论坛重要分会,由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)组织的“第三代半导体标准与检测研讨会”最新报告安排出炉。

为促进产业生态的深度融合与创新发展,助力与会企业家在第十一届国际第三代半导体论坛第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWSSS

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11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA 2025)将在厦门召开。作为论坛重要分会,“碳化硅材料生长及应用”最新报告安排出炉。

11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时,美国国家工程院院士、香港科技大学特聘教授刘纪美受邀将出席论坛,并分享《二十五年microLED 发展历程及未来展望 》的主题报告,将敬请关注!

11月11-14日,IFWS&SSLCHINA 2025将于厦门召开。 届时,瑞典皇家科学院及工程院两院院士Lars SAMUELSON受邀将出席论坛,并分享《用于发射红绿蓝光的亚微米级 InGaN Micro-LED的材料方法》的主题报告,将敬请关注!

南京极钼芯科技有限公司与南京大学科研团队在《Science》期刊共同发表重要研究成果。

11月11-14日,IFWS&SSLCHINA 2025将在厦门召开。作为论坛重要分会,“碳化硅功率电子器件及其封装技术分会”最新报告安排出炉。

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11月11-14日,IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时,苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯将受邀出席论坛,并在专题技术培训课程(Short course)中分享《MOVPE GaN外延技术》的主题报告,敬请关注!

深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters(EDL)上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224),论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。

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