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苏州纳米所秦华团队提出并研制了一种基于氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)的无源太赫兹相控阵芯片原型，工作频率为0.32 THz，阵列规模为32 × 25。本项研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。

盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称盛美上海）（科创板股票代码：688082），作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应

清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展

据台媒报道，台积电2纳米制程产能规模较3纳米再提升，竹科宝山F20厂2nm月产能现已提升至3万片，高雄F22厂则为6000片。预计至2025

欧洲芯片巨头意法半导体（STMicroelectronics，STMPA.PA）于当地时间周四宣布，将以现金形式收购恩智浦半导体（NXP Semiconductors，NXPI.O）旗下传感器业务部门

姜堰高新区举行项目签约仪式，现场成功签约总投资10亿元的成都芯盟微半导体芯片封装项目和总投资5亿元的半导体真空泵及配件项目。

8月10日-13日，第六届“全国宽禁带半导体学术会议”将于大连举办。

近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

近日，我国牵头制定的国际标准《特殊用途功能性填料 聚合物用纳米金刚石》近日正式发布。该标准的成功发布，标志着我国纳米级金

天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司晶圆倒角装置和晶圆倒角方法专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN1

据报道，7月21日，八亿时空在浙江上虞电子材料基地举办高端半导体光刻胶树脂产线建成仪式。由八亿时空投建的国内首条百吨级半导

美国加州时间2025年7月22日，SEMI在《年中总半导体设备预测报告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment ForecastOEM Perspe

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

日前，江苏省工信厅对外公示 2025 年度江苏省 三首两新 拟认定技术产品名单，全省共 1846 项产品上榜。其中我司申报的技术产品应

国泰海通证券发布研究报告称，伴随工业及汽车下游开启补库，BCD Analog下游需求有望增长，二季度及下半年晶圆代工产能利用率有望

氮化镓（GaN）基电子器件具有高频、高效、耐高温及抗辐射等特性，是下一代高效电力电子与射频电子系统的核心支撑器件，已在5G/6G

日本芯片制造商Rapidus斥资340亿美元的2nm芯片项目已宣布启动测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。

7月21日，据陕西新闻联播报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体生产线目前已进入冲刺通线的关键节点，计划九月份开始