近日，英诺赛科（Innoscience）在氮化镓(GaN)功率器件领域取得重要技术突破，关键创新方向上捷报频传。

由英诺赛科技术团队主导、联合香港大学张宇昊教授课题组合作完成的研究成果，成功入选 2025 年 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2025）。与此同时，英诺赛科与该课题组联合发表的另一项研究工作，荣获 IEEE ECCE 2024最佳论文奖，充分彰显了英诺赛科在功率半导体器件及电力电子系统层面的国际领先实力。

IEDM 2025 双向 GaN 器件展现卓越的本征短路鲁棒性

IEDM 被誉为“半导体器件领域的奥林匹克”，是全球规格最高、影响力最大的电子器件类顶级学术会议。此次入选 IEDM 2025 的论文，系统报道了英诺赛科 650 V GaN单片集成双向开关（Monolithic Bidirectional Switch） 在极端短路工况下的鲁棒性表现。

研究结果表明，该器件在 400 V 母线电压条件下，单次短路耐受时间超过 50 µs，峰值短路电流超过 230 A；在 30 µs 的短路应力条件下可实现多次稳定耐受，且未观察到明显性能退化。其短路耐受时间较当前主流 650 V 单向 GaN 器件提升约10倍，并在同等电压等级下显著领先于大多数硅基与碳化硅基功率器件。研究进一步指出，该性能优势源于器件结构本身所决定的本征特性，而非外部保护或系统级补偿。

该单片双向 GaN 器件展现出的卓越短路鲁棒性，为其在 AI 数据中心、新能源汽车、工业电源以及高可靠性 AC 功率变换等关键应用场景中的规模化应用奠定了坚实的技术基础。

Fig. (a) 英诺赛科单片集成双向器件。

      (b) 400V母线电压下的短路测试波形图，显示短路耐受时间超过50 µs。

      (c) 与其他报道的600-700V级GaN器件的短路耐受时间与母线电压的性能比较。

论文信息

《Intrinsically Exceptional Short-Circuit Robustness (tSC > 30 µs, ISC > 230 A) in Monolithic Bidirectional GaN-on-Si Power HEMTs》

作者团队：Hongchang Cui,Xiaoming Liu, Xin Yang,Hehe Gong,Rong Yang, Liang Song,Fu Chen, Jianping Wang, Yi Sun, Pengju Kong*, Yuhao Zhang*（加粗为英诺赛科作者） 

ECCE 2024 唯一 Best Paper Award系统级创新获国际权威认可

在电力电子领域旗舰会议2024 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition（ECCE）上，英诺赛科团队凭借在 GaN 可靠性与单片集成电路方向的系统级创新成果，荣获 William M. Portnoy Award 论文一等奖。IEEE ECCE 是全球电力电子与能源转换领域规模最大、影响力最广的顶级会议之一，而 William M. Portnoy Award 则是由 IEEE 工业应用学会（IAS）功率电子器件与组件委员会颁发的最高学术荣誉之一。该奖项评选标准极为严格，从ECCE 2024年接收的1143篇文章中遴选出功率器件方向唯一的一等奖文章。

该论文提出了一种多功能单片集成栅极保护电路，在 GaN HEMT 器件内部实现过压钳位与瞬态自适应保护，显著提升了器件在极端工况下的稳定性与可靠性。该成果体现了 器件—电路协同设计的创新路径，此次获奖标志着英诺赛科在 GaN 功率器件可靠性与单片集成技术方面已跻身国际第一梯队。

获奖论文题目

《Enhancing the Stability of GaN HEMT with a Multi-Functional Monolithic Gate Protection Circuit》

作者团队：Qihao Song, Xin Yang, Bixuan Wang, Everest Litchford, Yi Sun, Pengju Kong*, Qiang Li, Yuhao Zhang*. （加粗为英诺赛科作者）

持续深耕 以产业需求驱动底层创新

从 IEDM 到 ECCE，从器件物理到系统应用，连续获得国际顶级会议与权威奖项的认可，充分体现了英诺赛科以产业需求牵引底层技术创新的发展路径。

面向未来，英诺赛科将持续推动 GaN 技术 在高效率、高功率密度与高可靠性应用场景中的规模化落地，并深化与产业界和学术界的协同创新，加速第三代半导体技术迈向主流应用。

（来源：英诺赛科）