一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。其中，氮化物衬底材料生长与外延技术分会作为重要分论坛，目前已经确认最新报告嘉宾及日程正式出炉！》》》点击关于：第八届国际第三代半导体论坛&第十九届中国国际半导体照明论坛
以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用。材料水平直接决定了器件的性能。对作为新材料的氮化镓材料而言，寻找到更加合适的衬底是发展氮化镓技术的重要目标。氮化物衬底材料的生长与外延非常重要。
作为IFWS&SSLCHINA2022重要技术分会，“氮化物衬底材料生长与外延技术分会”得到英诺赛科、中微半导体设备（上海）股份有限公司、安徽亚格盛电子新材料有限公司、江苏南大光电材料股份有限公司等单位的协办支持，由北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任沈波教授，江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长徐科研究员，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究员，江苏第三代半导体研究院副院长毕文刚研究员，江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官杨敏博士等业内知名专家共同召集。
目前分会邀请到：美国斯坦福大学电气工程副教授Srabanti CHOWDHURY，苏州纳维科技有限公司总经理王建峰，中国科学院半导体所研究员赵德刚，南京大学教授修向前，安徽亚格盛电子新材料有限公司副总经理俞冬雷，日本国立物质材料研究所独立研究员桑立雯，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官吴亮博士，江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家杨敏，北京大学物理学院副教授许福军，武汉大学工业科学研究院研究员袁超，北京正通远恒科技有限公司总经理刘兵武，江苏第三代半导体研究院研发部负责人王国斌等科研机构与知名企业专家代表共同参与，就氮化物衬底材料生长与外延技术分享主题报告。目前该分会日程已经出炉，详情如下：
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技术分论坛：碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术 Technical Sub-Forum: SiC Substrate Material Growth, Processing and Epitaxy Technologies |
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时间：2023年2月9日08:30-12:00 地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9th，2022，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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协办支持/Co-organizer: 宁波恒普真空科技股份有限公司/NINGBO HIPER VACUUM TECHNOLOGY CO.,LTD 励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 广州南砂晶圆半导体技术有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd 中国电子科技集团公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 德国爱思强股份有限公司/ AIXTRON 湖北九峰山实验室/JFS Laboratory |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
徐现刚 / XU Xiangang 山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 陈小龙 / CHEN Xiaolong 中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员 Professor and Director of Research & Development Center for Functional Crystals at the Institute of Physics, CAS |
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08:30-08:50 |
4H碳化硅单晶的制备和加工技术进展 Progress of the growth and processing of monocrystalline 4H silicon carbide 皮孝东——浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长、教授 PI Xiaodong——Deputy Dean & Porfessor of Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang Univerisity |
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08:50-09:10 |
大尺寸 Diameter Enlargement and Substrate Preparation of Large Size 4H SiC Single Crystals 陈秀芳——南砂晶圆副总经理，山东大学教授 CHEN Xiufang——Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd, Professor of Shandong University |
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09:10-09:30 |
碳化硅外延与晶圆制造技术 Silicon carbide epitaxy and wafer manufacturing technology 宣融——南京百识电子科技有限公司首席执行官 XUAN Rong——CEO of Nanjing Baizhi Electronic Technology Co., Ltd |
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09:30-09:50 |
碳化硅及其他化合物半导体外延大规模量产方案 High Volume Manufacturing of Sic and Other Compound Semiconductor Epitaxy 方子文——德国爱思强股份有限公司中国区副总经理 FANG Ziwen——Deputy General Manage，China AIXTRON SE |
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09:50-10:10 |
全球科研信息赋能第三代半导体材料技术创新与发展——基础研究及科研策略分析Global scientific research information empowers innovation and development of third-generation semiconductor materials technology - analysis of basic research and scientific research strategies 贾维炜——励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司研究员 JIA Weiwei——Researcher of Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
液相法碳化硅单晶生长研究进展 Recent progress on the growth of SiC single crystals from high temperature solutions 李 辉——中国科学院物理研究所副研究员 LI Hui——Associate Professor of Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences |
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10:45-11:05
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碳化硅单晶技术进展及挑战 Progress and challenge of silicon carbide single crystal technology WANG Yingmin——Chief Expert of CETC 46 |
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11:05-11:25 |
Sic Wafer磨抛加工技术进展 CHANG Zhifan ——Deputy General Manager of PEEDFAM INCORPORATED |
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11:25-11:45 |
200 mm碳化硅晶体生长仿真：基于气相导流板调控的传质过程优化 Optimized mass transport for 200-mm silicon carbide bulk growth by a designed gas deflector 尹君——厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen Univsersity |
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11:45-12:00 |
超快激光辅助加工碳化硅衬底晶圆的研究 The study of ultra-fast laser assisted processing of SiC substrate wafer 陈沛——北京工业大学副教授 CHEN Pei——Associate Professor of Beijing University of Technology |
【部分嘉宾简介】
沈波，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员，东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所访问教授。
1995年迄今一直从事III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题，先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团和中国电科13所、55所等企业开展了一系列科研合作。迄今发表学术论文300多篇，论文被引用4000多次，获得/申请国家发明专利50多件，在国内外学术会议做大会和分会邀请报告20多次， 多次担任国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用，并产生了显著的经济和社会效益。
徐科，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副所长、研究员，江苏第三代半导体研究院院长。国家杰出青年基金获得者。1988～1995年就读于西安交通大学，获硕士学位，1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位。1999～2002年在日本千叶大学光电子研究中心做博士后，2002～2004年在日本科学技术振兴事业团，参加超高速省电力高性能纳米器件/系统研发项目，2004～2006年任教于北京大学，2006年起加入中科院苏州纳米所，任测试分析平台主任。曾荣获2007年“苏州工业园区首届科技领军人才”称号、2008年“首届姑苏创新创业人才”、“江苏省双创人才”称号、2010年荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖”、2011年苏州市市长奖，2012年荣获全国产学研合作创新成果奖、中国科学院国际合作青年科学家奖，2013年获得国家杰出青年基金资助，2013年苏州市魅力科技人物。现任“863”计划新材料领域主题专家、国家纳米标准委员会委员。
一直围绕高质量氮化物半导体材料生长、相关材料与器件物理开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长，在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN；系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理，氮化物的极性选择、极性控制，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一；近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统，开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底，并实现批量生产；组织开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合，并用于半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究。发表SCI论文70余篇，申请专利40余项，国际专利一项，国际会议特邀报告20余次。承担了国家自然科学基金、973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目、中科院装备研制项目、江苏省重大科技成果转化专项、发改委战略新兴产业化示范项目等。
Srabanti CHOWDHURY，美国斯坦福大学电气工程副教授。Srabanti Chowdhury是电气工程（EE）副教授和斯坦福大学预科学院高级研究员。她领导斯坦福大学宽带隙实验室，在那里她的研究重点是宽带隙（WBG）和超宽带隙（UWBG）材料和器件工程，以实现高效紧凑的电子系统架构，包括功率RF和计算应用。除了氮化镓之外，她的团队还在探索钻石的各种主动和被动电子应用，特别是热管理。Srabanti获得了加州大学圣巴巴拉分校电气工程硕士和博士学位，从事垂直GaN开关的研究。2015年，她获得了DARPA青年教师奖、NSF CAREER和AFOSR青年研究员计划（YIP）。2016年，她在化合物半导体国际研讨会（ISCS）上获得了青年科学家奖。她是IEEE的高级成员，也是NAE工程前沿的校友。她于2020年获得了阿尔弗雷德·P·斯隆（Alfred P.Sloan）物理学奖学金。迄今为止，她的工作已经产生了超过6个书籍章节、90篇期刊论文、110篇会议报告和26项已颁发专利。她为多个IEEE会议（包括IRPS和VLSI研讨会）的计划委员会以及IEDM的执行委员会服务。她担任Transaction Electron Devices的副主编，以及IEEE Electron Device Society下属的两个委员会（复合半导体器件与电路委员会成员和功率器件与集成电路委员会）。她是美国能源部资助的能源前沿研究中心（简称ULTRA）的科学合作主任。
修向前，南京大学教授。主要从事基于III族氮化物宽带隙半导体衬底材料与设备以及III族氮化物纳米结构材料与器件等的研究和应用。2017年，主持的国家重点研发计划“第三代半导体核心关键装备”获得立项。近5年，主持/参与863计划、973、国家自然科学基金、国家自然科学基金重大项目、江苏省自然科学基金等项目共10余项。共发表SCI/EI等学术论文80余篇，其中SCI论文60余篇。已获得授权国家发明专利31项（第一发明人20余项），申请国家发明专利30余项。编写论著9章。相关研究成果“III族氮化物半导体极化和缺陷研究”获得2010年度“高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）”自然科学奖一等奖，本人排名第二。研究方包括GaN基Ⅲ族氮化物的衬底材料生长、性质和器件研究；氢化物气相外延设备研制与应用；微纳米氮化物半导体材料与器件研究。
赵德刚，中国科学院半导体所研究员、博士生导师、光电子研究发展中心主任。主要从事GaN基光电子材料生长与器件研究，对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识，解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题，研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。主持和承担了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金等多个项目，在Applied Physics Letters等著名学术刊物上发表SCI论文270多篇，获得国家发明专利30多项，撰写中文、英文专著各一章。在GaN器件方面，设计出能够监测紫外波长的新型器件，提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；研究了p-GaN的欧姆接触工艺技术，实现了良好的欧姆接触特性，揭示了欧姆接触、空位缺陷和碳杂质对探测器的影响机理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的电荧光光谱随注入电流变化的机制，并提出了相应的物理模型；提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构，阐述了V型缺陷和碳杂质破坏发光器件性能的物理机制；研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器以及紫外雪崩光电探测器。
许福军，北京大学物理学院副教授。主要研究领域为宽禁带半导体材料和器件物理。近年来主要开展AlGaN 基深紫外发光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低维量子结构外延生长、缺陷控制和AlGaN的电导率调控等方面开展了较系统的研究工作，在高质量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高载流子浓度p型AlGaN方面均达到国际先进水平，并在团队支撑下突破了高性能深紫外发光二极管（LED）器件研制的关键技术，正推动科研成果落地付诸产业化实践。近年来，作为负责人承担国家自然科学面上基金3项；作为子课题负责人参与国家重点研发计划项目1项、北京市科委重点项目1项，山东省重点研发计划项目1项和广东省重点研发计划项目1项。迄今以一作/通讯作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共发表SCI 收录论文30多篇，获得/申请国家发明专利10多件。
杨敏，江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家。他本科和硕士毕业于江苏南京大学，博士毕业于英国哈德斯菲尔德大学，博士毕业后先后在牛津大学和剑桥大学化学系任博士后研究员。回国前曾就职于英国UCL大学，任终身副教授、博导。2018年加入江苏南大光电材料股份有限公司。
俞冬雷，安徽亚格盛电子新材料有限公司副总经理兼研发中心经理。他2000年毕业于南京大学，晶体生长专业方向。长期从事化合物半导体行业相关技术研发和生产工作，主要研究方向包括：MOCVD外延生长技术，外延片测试技术，MO源相关产品的研发、生产和质量管控，电子特气的生产和质量管控，产品分析实验室建设，分析检测技术开发等；长期从事相关产品（MO源和特气）的市场分析、开拓和技术服务工作。主要负责项目包括：年产30吨高纯金属有机源（MO源）建设项目、MO源分析实验室、特气分析实验室、高精度元素分析检测技术开发项目、各种系列规格产品开发（包括：紫外级TMAl、大规格TMIn、红黄TMIn、高效CP2Mg、低硅TEGa等）、集中供源系统、氨水回收综合利用项目、特气中As、P、B元素超高精度分析检测技术、高效率水分分析技术等。
吴亮，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官。国际知名晶体生长工艺与模拟仿真科学家，有近20年半导体、光伏及各种单晶生长工艺研究、开发与研发领导经验。曾供职于英特尔技术发展有限公司、比利时FEMAGSoft SA（高级研发工程师、驻北京首席代表等）、苏州协鑫工业应用研究院有限公司（副院长，现协鑫中央研究院）、协鑫太阳能材料有限公司（总工程师）等，现任奥趋光电技术（杭州）有限公司CEO。吴亮博士曾承担日本、德国、比利时等多家世界500强企业或政府组织在半导体材料领域的专业化合作研究，申请/授权国内国际专利50余项，在德国出版晶体生长专著一部，发表各种期刊/会议论文及各种国际/国内邀请报告100多篇/次）。
王建峰，苏州纳维科技有限公司总经理。他于2001年、2006年先后获得武汉大学学士和博士学位（与中科院半导体所联合培养），此后一直从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发。近5年以来，深入研究了GaN的HVPE生长机理和缺陷演化机制，采用周期掩膜、GaN纳米柱阵列等中间层方法，获得了无裂纹、高质量GaN材料，性能达到目前同类方法公开报道的最好值(位错密度<105cm2，室温电子迁移率1100cm?/V·s)；利用掺杂技术，实现了2英寸非掺、N型掺杂和半绝缘补偿掺杂GaN单晶衬底的研制。作为项目负责人和核心人员参加科技部863项目、国际合作项目、自然科学基金项目、中科院 STS 项目等10余项，申报相关核心专利20余项，在ICNS、APWS等重要国际会议上做特邀报告5次。曾荣获中国产学研促进性创新成果奖，中国科学院卢嘉锡青年人才奖，苏州市劳动模范奖励。
桑立雯，日本国立物质材料研究所独立研究员。2010年毕业于北京大学，获理学博士学位。2010年4月加入日本国立物质材料研究所(National Institute for Materials Science)进行博士后研究，2014年拿到该所终身职位，目前是该所国际纳米材料研究中心(International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA),NIMS) 独立研究者。2012年和2019年两次获得日本科学振兴机构(JST)杰出青年先驱计划PRESTO，2017年获得国际缺陷领域the James W. Corbet Prize，2022年获得日本国家文部科学省科学技术领域文部科学大臣若手科学者奖, 该奖项是日本青年研究人员最高奖。桑立雯研究员课题组主要从事III-V族氮化物界面调控及光电机械器件研究，已发表SCI论文110余篇，总引用次数2800余次(h指数26)，参与撰写英文专著2部。
刘兵武，北京正通远恒科技有限公司总经理。1991年硕士毕业后在大学从事科研工作。1996年开始转入科学仪器行业，至今一直扎根于仪器设备行业大约26年。先后从事仪器设备的应用支持、市场营销以及客户服务、管理等工作。先后把国外的先进仪器及技术引进到国内，包括工业在线传感器、ALD等。从2015年开始，开始在仪器设备领域做天使投资，主要是传感器、食品安全、半导体仪器等。
袁超，武汉大学工业科学研究院研究员，长期从事宽禁带器件表征和热管理研究工作，在薄膜尺度热反射表征方法(thermoreflectance)、声子热输运理论、以及(超)宽禁带半导体器件设计等领域具有一定的技术优势和科研特色。承担多个国家/省部级重大战略需求的纵向科研项目，迄今共发表国际SCI论文30余篇。长期和国内外知名半导体企业和研究机构合作，拥有丰富的产学研经验。
（备注：后续会有新增，请以最终日程为准。）
附件：
论坛信息
会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）
会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店
程序委员会
主席：
张 荣——厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明——中科院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长、中科院微电子研究所研究员
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽——中国科学院特聘研究员
张国义——北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波——电子科技大学教授
陈 敬——香港科技大学教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
张国旗——荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
主题论坛召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率电子材料与器件
主题分论坛主席：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅功率电子材料与器件
召集人：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
柏 松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
张清纯——复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
张玉明——西安电子科技大学微电子学院院长、教授
王德君——大连理工大学教授
袁 俊——九峰山实验室功率器件负责人
b.芯片制造工艺及装备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F2-氮化物半导体电子材料与器件
主题分论坛主席：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
a.氮化镓功率电子材料与器件
召集人：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
刘 扬——中山大学教授
孙 钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
吴毅锋——珠海镓未来科技有限公司总裁
梁辉南——润新微电子(大连)有限公司总经理
王茂俊——北京大学信息科学技术学院副教授
b.射频电子材料与器件
召集人：
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
蔡树军——中国电子科技集团公司第五十八研究所所长
张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长
张 韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员
敖金平——日本德岛大学教授、江南大学教授
于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
刘建利——中兴通讯股份有限公司无线射频总工
F3-功率电子应用
主题分论坛主席：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
a.功率模块封装及可靠性
召集人：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
李世玮——香港科技大学教授
陆国权——美国弗吉尼亚大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
杨道国——桂林电子科技大学教授
王来利——西安交通大学教授
樊嘉杰——复旦大学青年研究员
姜 克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理
F4-衬底材料与装备
主题分论坛主席：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陶绪堂——山东大学讲席教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅衬底材料生长与加工
召集人
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陈小龙——中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员
孙国胜——中科院半导体研究所研究员
冯 淦——瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理
b.氮化物衬底材料生长与同质外延
召集人：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长
杨 敏——江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官
c.超宽禁带半导体材料与器件
召集人:
陶绪堂——山东大学讲席教授
龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
单崇新——郑州大学副校长、教授
王新强——北京大学教授、北大东莞光电研究院院长
王宏兴——西安交通大学教授
叶建东——南京大学教授
刘玉怀——郑州大学教授
韩根全——西安电子科技大学教授
d.生长、加工装备与量测设备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F5-半导体照明与光电融合技术
主题分论坛主席：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
曾一平——中科院半导体所研究员
a.全光谱LED材料、芯片、封装及可靠性
召集人：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
云 峰——西安交通大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
伊晓燕——中国科学院半导体研究所研究员
郭伟玲——北京工业大学教授
汪 莱——清华大学电子工程系副教授、信息光电子研究所所长
汪炼成——中南大学教授
张建立——南昌大学研究员
b.半导体激光器
召集人：
曾一平——中科院半导体所研究员
张保平——厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授
莫庆伟——老鹰半导体副总裁、首席科学家
刘建平——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
惠 峰——云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员
F6-超越照明创新应用
主题分论坛主席：
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
a.光品质与光健康
召集人
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
郝洛西——同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会（CIE）副主席
林燕丹——复旦大学教授
熊大曦——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
牟同升——浙江大学教授
魏敏晨——香港理工大学副教授
蔡建奇——中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员
刘 强——武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授
b.光医疗
召集人：
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
张凤民——黑龙江省医学科学院副院长，哈尔滨医科大学伍连德书院院长、国家地方联合工程研究中心主任
王彦青——复旦大学基础医学院教授
崔锦江——中科院苏州医工所光与健康研究中心副主任、研究员
蔡本志——哈尔滨医科大学教授
董建飞——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
陈德福——北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员
杨 华——中国科学院半导体研究所副研究员
c.光通信与传感
召集人：
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
马骁宇——中科院半导体研究所研究员
陈雄斌——中国科学院半导体研究所研究员
田朋飞——复旦大学副研究员
李国强——华南理工大学教授
林维明——福州大学教授
房玉龙——中国电子科技集团公司第十三研究所研究员
d.生物与农业光照
召集人：
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
唐国庆——中关村半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、木林森执行总经理
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
泮进明——浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长
贺冬仙——中国农业大学教授
陈 凯——华普永明光电股份有限公司董事长、总裁
华桂潮——四维生态董事长
徐 虹——厦门通秮科技有限公司总经理
刘厚诚——华南农业大学教授
李绍华——中科三安光生物产业研究院院长
F7-新型显示材料及应用
主题分论坛主席：
严 群——福州大学教授
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
a.Mini/Micro-LED显示材料与装备
召集人：
严 群——福州大学教授
王新强——北京大学东莞光电研究院院长、北京大学教授
闫春辉——中民研究院常务副院长、纳微朗科技（深圳）有限公司董事长
刘 斌——南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
黄 凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授
马松林——TCL集团工业研究院副院长
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
邱 云——京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监
刘召军——南方科技大学研究员
b.激光显示三基色材料与器件
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
赵德刚——中国科学院半导体研究所研究员
c.钙钛矿、量子点及柔性照明与显示等
召集人：
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
廖良生——苏州大学教授
徐 征——北京交通大学教授
段 炼——清华大学教授
钟海政——北京理工大学教授
F8-固态紫外材料与器件
主题分论坛主席：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
a.固态紫外发光材料与器件
b.紫外探测材料与器件
召集人：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
陆 海——南京大学教授
陈长清——华中科技大学教授
郭浩中——台湾交通大学特聘教授
李晓航——沙特国王科技大学副教授
许福军——北京大学物理学院副教授
日程安排
注册权益收费表
备注：
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。
＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。
*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*备注：请微信扫码查看并注册，注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。
*防疫提醒：目前全国各地防疫政策逐渐放宽，目前进/出苏州不再查验健康码，但不排除个别城市出行仍查验48小时核酸阴性证明，组委会提醒参会代表临行前能尽量测验一下核酸，核酸/体温无异常者，持绿色健康码现场参会。
即日起至2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
