第三代半导体产业数字化公共服务平台

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报告，报告将介绍包括高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学教授赵胜雷将受邀出席论坛，并带来《GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨》的主题报告，分享最新研究成果，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

4月23-25日，2025九峰山论坛（JFSC）暨化合物半导体产业博览会（CSE）在中国·武汉光谷科技会展中心盛大召开。会议汇聚两院院士、行业领袖、企业代表、专业观众等，聚焦第三代半导体材料、光电子技术、功率电子、异质集成等前沿领域，其中人工智能（AI）作为核心驱动力，贯穿多个技术分支。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。江南大学教授/博导黄伟将受邀出席论坛，并带来《高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究》的主题报告，将聚焦宇航电子领域对高可靠功率器件的迫切需求，分享相关最新研究成果，敬请关注！

浙江光电激光核心材料及设备零部件制造项目（一期）主体结构顺利封顶，比原计划提前了1个月。

最新报告嘉宾公布！2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD2025）

国务院新闻办公室于2025年5月7日上午9时举行新闻发布会，请中国人民银行、国家金融监督管理总局、中国证券监督管理委员会负责人介绍“一揽子金融政策支持稳市场稳预期”有关情况，并答记者问。

西湖大学光电研究院院长仇旻当选欧洲科学院院士（MAE）。

AMD周二（5月6日）表示，由于美国对芯片实施的新限制措施，该公司预计今年将损失15亿美元的收入。

据中国科学院微电子所官网消息，随着集成电路密度不断提高，晶体管的工艺节点不断微缩，已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管

近日，基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，产品性能进一步提升，封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，广东工业大学副教授周贤达将受邀出席论坛，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性开关》的主题报告。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，通富微电子股份有限公司/通富研究院Power技术中心负责人邢卫兵受邀将出席论坛，并分享《新能源时代半导体封测技术与趋势》的主题报告，将围绕汽车半导体封装趋势等分享探讨。敬请关注！

近日，总投资50.6亿的安徽华鑫微纳集成电路有限公司8英寸MEMS晶圆生产线项目迎来最新进展。目前项目处于主要产品的工艺串线阶段

5月6日，半导体产业再添新动向，浙江#星曜半导体有限公司（Starshine）（以下简称星曜半导体）宣布，正式完成对韩国威盛（Wisol

近日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的3项面向光治疗的柔性LED光源测试标准已形成征求意见稿，现正式面向CS

英国南安普敦大学当地时间 4 月 30 日宣布开设全球第二家电子束光刻工厂。这是日本境外的首座同类设施，也是欧洲首个尖端半导体

4月30日，杭州城东智造大走廊富阳片区先进制造业项目重点项目签约活动在富阳举行。富阳发布消息称，活动签约项目28个，总投资额

近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density（具有高阈值电压稳定性和低界面态密度的Al2O3/原位GaON栅介质高电子迁移率晶体管研究）为题发表在学术期刊Applied Physics Letter