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研究员黄森：基于超薄壁垒AlGaN GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造

发表于：1970-01-01 编辑：limit

中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出正常的OFF特性，具有良好的VTH均匀性和低的VTH滞后。此外，还展示了开启电阻为0.75Ω，门宽20 mm功率器件。

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