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三安光电表示，重庆三安的衬底产品已稳定供应安意法产线，随着产能爬坡，成本优势将进一步显现。

半导体产业网讯：2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。期间，三安光电股份有限公司将携多款产品亮相此次展会。值此，诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临A04号展位参观交流、洽谈合作。

据媒体报道，近日，三安光电董事、副总经理林志东在受访时表示，三安光电正在加快发展第三代化合物半导体产业，今年三安光电砷化

厦门大学康俊勇教授课题组与三安光电股份有限公司合作，系统研究了瓦级大功率GaN激光器的老化物理机制，从而设计并制备了抗老化芯片结构，减缓老化过程，大幅提高器件寿命。

Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势，已

化合物半导体在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色，推动了许多先进技术的发展。近年来在在光电子学、GaN功率

在过去的十年里，固态照明行业创造了数万亿美元的收入，引领了全球照明领域的能源革命。然而，传统的固态照明应用已经日趋成熟，

日前，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下

三安光电（600703.SH）近日在投资者互动平台表示，公司现有1200V系列碳化硅二极管和MOSFET，可以应用到800V平台。其中碳化硅二极

中国国家集成电路产业投资基金（简称大基金）持续减持回笼资金，日前减持A股LED芯片龙头企业三安光电股份，持股比例正式降低至5

司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元。公司表示，将在两年内完成一期项目建设并实现投产，四年内完成二期项目建设并实现投产，六年内实现达产。