第三代半导体产业数字化公共服务平台

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。本届论坛由第三

11-12日，本届论坛特别设置的“专题技术培训及研讨（ShortCourse）”开讲，业界多位实力派专聚焦绕氮化镓、碳化硅、氧化镓等主题，深入分享共同探讨第三代半导体材料及应用相关领域存在的瓶颈问题、研究进展和未来关键技术发展趋势，跟踪产业前沿趋势，了解最新研发成果。

随着人工智能数据中心、电动汽车等高能耗领域的能源需求激增，安森美半导体（Onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关

近日，南京国博电子股份有限公司（以下简称国博公司）与国内头部智能移动终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

10月22日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由广东工业大学

苏州东微半导体股份有限公司（“东微半导体”，证券代码：688261）与苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）于10月17日联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。

最新报告出炉！IFWS2025:氮化镓功率电子及封装技术论坛——驱动能效革命，赋能AI芯动力

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，浙江航芯源集成电路科技有限公司/研发总监吕晓峰将受邀出席论坛，并带来《功率氮化镓器件在宇航电源领域的机遇与挑战》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。届时，名古屋大学助理教授（YLC-designated）王嘉将受邀出席论坛，并带来《通过镁插层增强氮化镓中的P型掺杂、接触性能和器件性能》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025将于厦门召开。 届时，山东大学集成电路学院教授刘超将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《垂直氮化物功率器件》的主题报告，全面介绍基于垂直氮化镓和氮化铝镓的功率器件最新研发进展。敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，大连理工大学教授黄火林将受邀出席论坛，并带来《氮化镓高压增强型功率器件与可靠性技术进展》的主题报告，敬请关注！

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

上海大学张建华教授、任开琳副教授团队与晶湛半导体合作，在基于GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的驱动/发光/探测单片集成器件方面取得重要研究进展。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”于昆明召开。“锗及化合物半导体晶体材料”分论坛围绕锗、氮化镓、碳化硅衬底外延、材料制备、工艺优化等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位代表共同深入探讨，追踪最新进展。

山东镓数智能科技有限公司的氮化镓单晶衬底项目已全面达产。

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，山东大学新一代半导体材料研究院教授张雷将出席会议，并带来《大尺寸氮化镓和氮化铝晶体生长研究新进展》的主题报告，敬请关注！

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，南京大学教授修向前受邀将出席会议，并带来《氮化镓衬底生长工艺及设备技术研究》的主题报告，敬请关注！

英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率器件系列全面上市。该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。