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国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦材料科技有限公司取得一项名为种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法的专利，授权

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军

国家知识产权局信息显示，镓特半导体科技（铜陵）有限公司取得一项名为一种HVPE大尺寸氮化镓晶圆镓舟反应器的专利，授权公告号CN

氮化镓（GaN）正在重塑半导体行业游戏规则。近日，九峰山实验室已从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。九峰山实验室8英

近日，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前

九峰山实验室GaN系列成果首次重磅发布！在颠覆性材料、器件及设计创新、系统级应用创新方面，重磅发布国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）、全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台、动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证。

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为一种氮化镓基化合物半导体激光器的专利，公开号CN 119627617 A，申

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半导体有限公司（简称新微半导体）正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。该平台凭借高频

国家知识产权局信息显示，广东芯赛威科技有限公司取得一项名为电源管理芯片及电源管理电路的专利，授权公告号 CN 222563696 U，

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆召开。期间，“分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用“上，浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，带来了“大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展”主题报告。

2月28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”，分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用”，围绕氮化镓、氧化镓功率半导体技术及应用，氮化镓、金刚石功率半导体技术及应用，氮化镓、氧化镓及金刚石功率半导体制造关键技术及装备等热点主题与方向深入分享探讨。

近日，浙江大学集成电路学院柯徐刚研究员团队，提出了一款工业级可量产、应用于大功率AI数据中心的基于第三代半导体氮化镓的高效

2025年2月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项硅衬底

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。华南师范大学研究员王幸福受邀将出席论坛，并带来《压电电子学调控氮化镓异质结电子气及HEMT器件特性》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。杭州云镓半导体科技有限公司器件研发经理李茂林受邀将出席论坛，并带来《氮化镓功率器件与工业级应用前景》的主题报告，敬请关注！

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术.

在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）结温高精度测试方面实现新进展，该研究提出的多波长激光瞬态热反射（MWL-TTR）技术，成功实现亚微米级空间分辨、纳秒级时间分辨的沟道温度精准监测。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。

官员们正在确定哪些设备需要获得出口至中国的许可。