第三代半导体产业数字化公共服务平台

今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日，英诺赛科

粤芯半导体迎来发展史上的又一重大里程碑时刻。

镓仁半导体在超宽禁带半导体材料领域取得重大突破

厦门大学恒坤科技先进半导体材料联合创新中心(简称联合创新中心)日前在厦大思明校区签约揭牌。该中心是厦门大学与厦门恒坤新材料

国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为宽禁带半导体器件的专利，公开号 CN 119170634 A，申请日期为202

天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法的专利，授权

又见跨界收购半导体资产，这次是“一代鞋王”奥康。

12月24日，华工科技半导体激光装备产业创新联合实验室启动仪式在华工激光举行。联合实验室是武汉市首批10家联合实验室之一，以半

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

天眼查显示，派恩杰半导体（浙江）有限公司基于S参数的数据处理方法、装置及电子设备专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申

据港交所12月23日披露，广东天域半导体股份有限公司(以下简称为天域半导体)向港交所主板提交上市申请书，中信证券为独家保荐人。

该调查将初步评估中国的行为、政策和做法对碳化硅衬底或其他用作半导体制造投入的晶片生产的影响。

国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利，公开号 CN 119153

唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目将扭转化合物半导体激光器外延片长期依赖进口的局面，助力下游半导体激光器、射频芯片等国产化。

晶益通半导体官方消息宣布，IGBT模块材料和封测模组产业园一期项目已顺利封顶，项目预计将在明年4月竣工并交付使用。

新站高新区与深记设备搬运安装有限公司举行项目签约仪式，进一步助力我区新型显示、半导体产业发展。

12月14日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼在上海圆满举行。现场，东方晶源微电子科技

国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

在近期发表于 Science 的研究中，德国赫姆霍兹研究所Christoph J. Brabec和武建昌联合厦门大学王露遥、卡尔斯鲁厄理工学院 Pascal Friederich和韩国蔚山国立科学技术院Sang Il Seok开发了一种闭环自动化工作流程，首次实现了针对光电应用的有机半导体逆向设计，通过大数据和机器学习识别出决定有机半导体光电性能的关键因素，并将器件性能提升至26.2%的光电转换效率（PCE），这是该领域的重要突破。