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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体（简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军

期待与您携手，共同迎接化合物半导体行业的全新机遇与挑战。让我们相约2025年4月23-25日·武汉光谷科技会展中心，共同见证盛会的精彩绽放！

英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。

今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日，英诺赛科

中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。

11月28日，中国证监会国际合作司发布关于英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展。

诺赛科（苏州）半导体有限公司氮化镓项目正在快马加鞭推进，目前主体厂房施工已完成，计划于今年底试产，满产后有望实现年销售收入100亿元。