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电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

SiC 新型功率 MOS器件结构以及栅驱动电路的设计与研究所在学院：广州研究院项目概况（一）项目背景随着电动汽车充电系统、5G基站

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，浙江大学杭州国际科创中心科创百人计划研究员韩学峰将受邀出席论坛，并带来了《PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理研究》的主题报告，敬请关注！

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

日前，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。这也意味着，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整

8月19日，新洁能发布公告称，公司在募投项目实施主体、实施方式、募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下，公司根据目前

8月11日，天岳先进发布公告称，公司拟全球发售H股4774.57万股股份，其中香港发售股份238.73万股，国际发售股份4535.84万股，另有

日本制造商罗姆（Rohm）在2025财年第一季度的营业利润大幅下滑。

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）

这款 200 kW 三相逆变器参考设计展示了基于 Wolfspeed 创新型的 2300 V 无基板碳化硅 (SiC) 功率模块的设计简洁性和可扩展性。该

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子开发的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET产品，凭借优秀的性能

深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现SiC激