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5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》的大会报告，

扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目开工。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报告，报告将介绍包括高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density（具有高阈值电压稳定性和低界面态密度的Al2O3/原位GaON栅介质高电子迁移率晶体管研究）为题发表在学术期刊Applied Physics Letter

2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ

纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET技术，经过严格

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由杭州飞

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海交

4月10日，意法半导体官网宣布 重塑制造布局和调整全球成本基础 计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

4月7日，据大众新闻报道，天岳先进位于济南市槐荫区的碳化硅项目即将迎来投产。据了解，该项目为年产500吨碳化硅单晶基地扩产能

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探

4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流

由智新半导体有限公司牵头起草的标准T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC 功率模块老化筛选试验方法》已完成征求意见稿的编制，