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近日，深圳平湖实验室第三代跃升团队在碳化硅结型场效应晶体管JFET集成电路（IC）研发上取得阶段性进展，成功开发并验证SiC JFET

我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能？这是我们几十年来一直在追问的问题，同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC)

项目概况（一）项目背景随着电动汽车充电系统、5G基站、高铁等技术的出现以及应用，电力电子设备也逐渐向高压大功率方向发展，功

降本增效与技术适配需求核心驱动下，从6英寸主导、8英寸加速渗透到12英寸技术突破，SiC衬底呈现出阶梯式发展路径。随着大尺寸碳

露笑科技股份有限公司发布消息称，控股子公司合肥露笑半导体材料有限公司（以下简称“合肥露笑”）在8英寸导电型碳化硅衬底研发与产业化领域取得重大突破

近日，深圳平湖实验室的研究团队在《人工晶体学报》网络首发的研究成果，成功攻克了这一技术难题，为特高压大电流功率器件的发展注入了强劲动力。

北京芯合半导体有限公司销售中心总经理韩光超将出席大会，并在“化合物半导体芯片及封装论坛”上分享《宽禁带时代下 SiC芯片与封装技术演进和市场应用》主题报告。敬请关注！

由忱芯科技（上海）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 063202X《SiC MOSFET 功率模块有功对拖测试方法》、T/CASAS 064202X《应用于S

为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/Si

近日，深圳平湖实验室SiC 栅氧表征能力建设攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统

晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究成果。

SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。

臻晶半导体携手南昌大学，围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组欧欣研究员张师斌研究员团队，基于LiTaO3/SiC异质集成衬底平台，

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC

西安电子科技大学助理研究员杜丰羽带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告，分享了相关研究进展与成果。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告，分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。