第三代半导体产业数字化公共服务平台

为推动联盟标准化工作紧随产业发展，保证标准技术内容的科学性、合理性，提高标准应用的适用性，联盟标准化委员会启动11项GaN/Si

近日，深圳平湖实验室SiC 栅氧表征能力建设攻克了宽禁带半导体 SiC 栅氧表征领域多项技术瓶颈，建立行业稀缺的全套 SiC 栅氧系统

晶盛机电在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。

南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的研究成果。

SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。

臻晶半导体携手南昌大学，围绕8英寸厚SiC单晶的低成本制备展开联合攻关

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI课题组欧欣研究员张师斌研究员团队，基于LiTaO3/SiC异质集成衬底平台，

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

车规级碳化硅（SiC）技术是新能源汽车高压平台的核心，能显著提升续航、加速和充电速度，在主驱逆变器、车载充电（OBC）与DC-DC

西安电子科技大学助理研究员杜丰羽带来了《基于SiGaOx界面工程增强的β-Ga₂O₃/4H-SiC异质结的高温双波段紫外光电探测器阵列》的主题报告，分享了相关研究进展与成果。

江苏超芯星半导体有限公司（Hypersics Co.,Ltd）成立于2019年4月，专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底全产业链研发与生产，覆

上海瞻芯电子科技股份有限公司副总经理曹峻带来了《新能源汽车用碳化硅MOSFET与可靠性研究》的主题报告，分享了xEV中的SiC MOSFET、质量和可靠性保证、Waferfab和MOSFET的演变等内容。

2025年度中国第三代半导体技术十大进展候选成果TOP30推介：万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术

由智新半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 041—2025《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》于2025年12月1日正式面向产业发布。

按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海临港车规半导体研究有限公司、复旦大学宁波研究院联合牵头提出的《碳化硅金属氧化物半导体功率器件（SiC MOSFET）高浓度硫化氢试验方法》团体标准立项建议，详细信息如下：

11月27日，三安光电全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称湖南三安）在长沙隆重举行以全芯力量，共赴理想为主题的三安

安森美在捷克建设首个8英寸碳化硅全链条工厂、12英寸光学级SiC光波导材料项目落地、中电科光电科技有限公司光电总部基地项目（一期）开工、伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约、亿封智芯先进封装项目落地、湖北昕纳半导体清洗材料项目正式开工、国科天成成都总部基地封顶、红莲湖思亚诺芯片封装项目年内投运、易芯半导体超大尺寸先进半导体硅材料项目签约、拓荆科技高端半导体设备产业化基地落户沈阳、清溢光电南海基地投产、亚芯微电子义乌封装测试基地即将试产等项目公布新进展。

为紧抓化合物半导体产业爆发机遇，进一步发挥珠海产业及应用市场优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）将于2025年12月6-7日在珠海高新区香山会议中心组织召开首届“大湾区化合物半导体应用生态大会”。

晶盛机电（300316）10月28日发布投资者关系活动记录表，公司于2025年10月27日接受145家机构调研，机构类型为QFII、保险公司、其

深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。