第三代半导体产业数字化公共服务平台

晶盛机电（300316）10月28日发布投资者关系活动记录表，公司于2025年10月27日接受145家机构调研，机构类型为QFII、保险公司、其

深圳平湖实验室与西安理工大学功率半导体器件及装备创新团队联合研究的最新成果在国际权威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上发表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，论文题为 “Pulsed Characterization of 1.2 kV SiC Optically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。

11月11-14日，IFWS&SSLCHINA2025 将于厦门召开。 届时，香港科技大学教授张薇葭将受邀出席论坛，并在Short course培训课程中分享《SiC功率MOSFET有源栅极驱动器综述》的主题报告，敬请关注！

2025年是电力电子行业的转折点。尽管电动汽车（EV）销量放缓，但IDTechEx预测，到2036年，电动汽车电力电子市场的规模将增长两倍，达到420亿美元。

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 046—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》团体标准，被评为2025年度高质量团体标准。

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 九州大学教授西澤伸一将受邀出席论坛，并带来《绿色社会时代下的SiC材料技术》的主题报告，敬请关注！

11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门召开。 届时，韩国东义大学教授WON-JAE LEE将受邀出席论坛，并带来《SiC晶体高质量、低成本体生长研究进展》的主题报告，将敬请关注！

本参考设计展示了如何使用碳化硅 (SiC) MOSFET 来优化电动汽车辅助电机、暖通空调 (HVAC) 及其他类似应用中的电机驱动性能。该设

电子科技大学微波毫米波集成电路团队报道了一款基于碳化硅/聚对二甲苯（SiC/Parylene）衬底的异质集成柔性氮化镓（GaN）射频功率放大器。

晶盛机电（300316）消息称，旗下浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

SiC 新型功率 MOS器件结构以及栅驱动电路的设计与研究所在学院：广州研究院项目概况（一）项目背景随着电动汽车充电系统、5G基站

9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，浙江大学杭州国际科创中心科创百人计划研究员韩学峰将受邀出席论坛，并带来了《PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理研究》的主题报告，敬请关注！

三安光电通过其投资者关系平台正式宣布，位于湖南的三安半导体基地成功实现了8英寸碳化硅（SiC）芯片生产线的投产运营。

随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新兴的半导体材料，正在快速崛起。SiC以其优异的

日前，三安光电在投资者互动平台透露，湖南三安8吋碳化硅芯片产线已通线。这也意味着，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整

8月19日，新洁能发布公告称，公司在募投项目实施主体、实施方式、募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下，公司根据目前

8月11日，天岳先进发布公告称，公司拟全球发售H股4774.57万股股份，其中香港发售股份238.73万股，国际发售股份4535.84万股，另有

日本制造商罗姆（Rohm）在2025财年第一季度的营业利润大幅下滑。

近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结

九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型SiC Trench MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。