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国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时 4 年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,实现我国在该领域的首次突破。

9月27-29日,“2024南昌国际半导体光电技术与显示应用博览会暨第一届南昌国际半导体光电产业高质量发展论坛”将于江西南昌绿地博览中心举行。

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