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近日，河北工业大学、广东工业大学楚春双副教授、张勇辉教授、张紫辉教授团队联合中国科学院半导体研究所闫建昌研究员团队，在深紫外发光二极管（DUV LED）效率提升方面取得重要进展。他们创新性地提出并实现了“光子辅助空穴再生器”结构，成功将原本无法逸出芯片的紫外光子转化为可利用的空穴。

山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料。

近日，我国牵头制定的国际标准《特殊用途功能性填料 聚合物用纳米金刚石》近日正式发布。该标准的成功发布，标志着我国纳米级金

天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司晶圆倒角装置和晶圆倒角方法专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN1

据报道，7月21日，八亿时空在浙江上虞电子材料基地举办高端半导体光刻胶树脂产线建成仪式。由八亿时空投建的国内首条百吨级半导

美国加州时间2025年7月22日，SEMI在《年中总半导体设备预测报告》（Mid-Year Total Semiconductor Equipment ForecastOEM Perspe

中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过ASIC芯片+Ga

晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸碳化硅衬底后，公司持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及

日前，江苏省工信厅对外公示 2025 年度江苏省 三首两新 拟认定技术产品名单，全省共 1846 项产品上榜。其中我司申报的技术产品应

国泰海通证券发布研究报告称，伴随工业及汽车下游开启补库，BCD Analog下游需求有望增长，二季度及下半年晶圆代工产能利用率有望

氮化镓（GaN）基电子器件具有高频、高效、耐高温及抗辐射等特性，是下一代高效电力电子与射频电子系统的核心支撑器件，已在5G/6G

日本芯片制造商Rapidus斥资340亿美元的2nm芯片项目已宣布启动测试生产，预计2027年正式进入量产阶段。

7月21日，据陕西新闻联播报道，陕西电子芯业时代8英寸高性能特色工艺半导体生产线目前已进入冲刺通线的关键节点，计划九月份开始

7月17日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商瞻芯电子在浙江义乌晶圆厂(Yfab)隆重举办主题为创芯八载，无限热爱的8

推动国家第三代半导体技术创新中心(苏州)(以下简称“国创中心(苏州)”)创新平台高质量发展，现面向全国发布 2025 年度国创中心(苏州)“揭榜挂帅”项目指南并组织申报

由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。

北京大学电子学院王兴军教授、舒浩文研究员和美国加州大学圣塔芭芭拉分校John E. Bowers院士联合团队在超高速光互连领域取得突破性进展

湖州汉天下电子有限公司举行SAW（声表面波）滤波器产线通线仪式

2025年7月18日，由智新半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC功率模块老化筛选试验方法》已形成委员会草

2025年7月18日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的T/CASAS 049202X《面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法