第三代半导体产业数字化公共服务平台

2025年7月18日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头起草的T/CASAS 049202X《面向光治疗的柔性LED光源拉伸度测试方法

近日，迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户，这是公司在半导体领域达成的又一重要合作。该设备凭借高

华工科技核心子公司华工激光智能激光除草机器人项目落地签约仪式在哈尔滨新区成功举办

氢基新能科技集团与主投方上海卓远方德半导体有限公司联合投资的集成电路新材料第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地项目正式动土建设。

华东理工大学与盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）正式签署共建“华东理工大学-盛美上海高端半导体装备联合技术创新转移中心”协议。

宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工建设

中国台湾地区仍是其核心基地，魏哲家称未来几年台积电将在此建11座晶圆厂、4座先进封装厂，并在新竹与高雄布局2纳米。

7月18日，国新办召开新闻发布会，介绍2025年上半年工业和信息化发展情况。记者从会上获悉，工信部已将2400余家中试平台纳入储备

7月16日，兆驰股份旗下孙公司江西兆驰集成举办光通激光外延与芯片产品线通线仪式。据悉，兆驰集团于2024年12月20日宣布投建年产1

研究首次澄清了GaN异质外延中螺位错（open-core）和刃位错对GaN基功率电子器件的关键可靠性-动态导通电阻退化的影响机理，构建了“双通道位错输运”模型，明确了GaN外延层中螺位错和刃位错可分别充当电子与空穴的独立传输路径，对器件漏电和动态电阻的退化产生相反的影响。

本研究工作提出了一种有效方法，通过在GaN/AlN量子阱（QW）界面引入氮空位（VN），解决了发光二极管（LED）中长期存在的载流子非对称注入问题。VN态起到了“台阶”的作用，同时也提供了足够大的扰动势；它通过提升能带连续性和增强电-声子（el-ph）耦合，显著改善了电子向导带底的弛豫过程。电子弛豫时间（τe）从最初的 8.61 ps降至 0.15 ps，达到了与空穴弛豫时间（τh，0.12 皮秒）相当的水平。这项工作不仅消除了GaN基光源中一个长期存在的瓶颈，也为利用缺陷来设计载流子弛豫提供了新视角。

参观登记领专属福利！SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展九月深圳见

据不完全统计，自6月以来，月余时间内，光谷至少有朗毅机器人、象辑科技、敢为科技、楚光三维、格瑞农生物、长弢新材料、圣博莱

近年来，全球半导体产业迎来爆发式增长，中国半导体市场更是呈现资金加速涌入、产能快速扩张、企业积极出海的发展态势，半导体设

南京大学王欣然教授课题组在Nature Materials期刊在线发表成果，标志着二维材料可控制备的重要新进展，为二维材料多功能异质集成带来新机遇。

偏振光探测技术在复杂环境检测、多维信息通信及光学传感成像等领域具有重要应用价值。现有偏振探测技术主要依赖结构较为复杂的偏

西安电子科技大学集成电路学部郝跃教授团队张进成教授、宁静教授联合武汉大学何军教授团队在宽禁带半导体材料领域取得突破性进展

重庆奥松半导体特色芯片产业基地迎来重大里程碑：其8英寸生产线首台光刻机设备在众人瞩目下平稳进场。

近日，全球技术分析和知识产权服务提供商TechInsights发布了关于2025年度全球半导体行业客户满意度调查（以下简称CSS）的白皮书

银河微电（688689）公告称，将投资3.1亿元实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”。