第三代半导体产业数字化公共服务平台

10月21日下午，2024创新海门共赢未来海门新一代信息技术产业投资促进功能区揭牌仪式在謇公湖科创中心成功举办。2024年4月，海门

美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。

10月24日，2024湖北人工智能产业发展大会举行，光谷人工智能产业园正式揭牌，9家企业与武汉人工智能计算中心及武汉超算中心签约

国新办10月23日下午举行新闻发布会，介绍2024年前三季度工业和信息化发展情况。工业和信息化部新闻发言人、总工程师赵志国表示，

10月24日，2024湖北人工智能产业发展大会举行，光谷人工智能产业园正式揭牌，9家企业与武汉人工智能计算中心及武汉超算中心签约

10月23日，落户火炬高新区的永泰光电激光雷达模组研发生产基地项目取得施工许可证，而就在前一天的10月22日，该项目用地成功摘牌

2024年10月23日，纵慧芯光官宣随着最后一方混凝土的浇筑，3英寸化合物半导体芯片制造项目封顶仪式圆满完成。据中电三公司8月消息

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

亨科新材料（江苏）有限公司半导体超纯流体配件制造项目开工建设。

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为接触孔自对准的MOSFET制造方法的专利，公开号 CN 11876299

国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为一种 MOSFET 的封装结构的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为

育豪半导体智能装备制造项目是城阳区重点低效片区新开工开发建设项目

富特科技（301607）10月22日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年10月22日接受2家机构调研，机构类型为其他。投资者关系活动

天眼查显示，华润微电子(重庆)有限公司一种LIGBT器件及其制备方法专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请公布号为CN11869313

中国科学技术大学微电子学院胡芹特任研究员课题组在钙钛矿软X射线探测器研究中取得新进展。

2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、第六届先进半导体技术应用创新展（CASTAS 2024）将在苏州国际博览中心G馆举办。目前，论坛正有序推进中，征文已超200篇，最新一批60+嘉宾报告公布。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展将在苏州国际博览中心举办。云镜照明将携多款照明产品亮相此次展会。诚邀同仁共聚论坛，莅临B26号展位参观交流、洽谈合作。

烁科晶体SiC二期项目已顺利通过竣工验收，标志着该项目正式投产。

上海交通大学电子信息与电气工程学院电气工程系尹毅教授、赵孝磊副教授团队与牛津大学Iain McCulloch教授团队合作，在n型有机半导体掺杂领域取得重要进展。