第三代半导体产业数字化公共服务平台

由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本，已成为美日对华半导体竞争的最前沿。

工业和信息化部、国家发展改革委、财政部、国务院国资委、市场监管总局、国家数据局等六部门近日联合印发通知，部署开展2024年度

国家机关事务管理局、中共中央直属机关事务管理局联合印发了《关于做好中央和国家机关新能源汽车推广使用工作的通知》

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂

10月26日，总投资10亿元的普创先进半导体产业园项目已全面竣工投产。东莞日报消息称，该项目由东莞普莱信智能技术有限公司筹划，

据青岛自贸片区消息，10月24日，青岛自贸片区与工银资本管理有限公司、青岛城投创业投资有限公司、青岛市引导基金投资有限公司、

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为光刻机焦距监控方法、焦距监控掩膜版及其形成方法的专

国家知识产权局信息显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利，公开号 CN 118817

华灿光电就前三季度业绩变动原因说明称，营收增长主要系报告期内加大市场开拓，出货量增加所致。

蜂巢能源（SVOLT）将在2025年1月前结束蜂巢能源科技（欧洲）和德国子公司的运营，裁员人数不详。

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

泛半导体产业园位于武汉经开综合保税区，由经开产投集团承建，项目总投资约3.4亿元。

杭州镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破

2024年11月17日，STR China Seminar 2024--仿真模拟研讨会将于苏州市国际博览中心G馆107室。

10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州

10月22日上午，华瑞微滁州总部召开了一期B扩产项目启动会，公司董事长刘海波主持会议，分管领导及各部门负责人出席了会议。董事

天眼查显示，华海清科股份有限公司驱动机构的保湿控制方法、晶圆清洗装置、存储介质专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请