国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“接触孔自对准的MOSFET制造方法”的专利，公开号 CN 118762997 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种接触孔自对准的MOSFET制造方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延层的上表利用离子注入形成体区；在 外延层上形成硬掩膜层，在硬掩膜层及其下方的外延层上的有源区上形成第一栅极沟槽，第一栅极沟槽的底端与体区的底端保持有预设的间距；在第一栅极沟槽的侧壁形成侧墙，以侧墙和硬掩膜层为掩膜刻蚀第一栅极沟槽底部的外延层，形成第二栅极沟槽，第二沟槽的底部延伸出体区至外延层上；在有源区上形成接触孔，其包括以下步骤：在第二栅极沟槽中形成栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极多晶硅层；去除硬掩膜层和侧墙。本发明能保证较小的热过程的前提下进一步消除接触孔套刻偏移对工艺影响，进一步缩小元胞尺寸，提升沟道电流密度。