第三代半导体产业数字化公共服务平台

国家市场监督管理总局依法对英伟达开展立案调查。

12月8日深夜，长江存储发布声明称，从无任何“借壳上市”的意愿，且与万润科技等上市公司无直接业务合作，要求相关单位立即停止一切失实报道，同时保留追究相关单位法律责任的权利。

江苏超芯星半导体有限公司近日完成了新厂房的整体搬迁

上海联风气体有限公司宣布完成新一轮亿元人民币融资，投资方为国风投基金。

株洲中车时代半导体有限公司发生工商变更，新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司

武汉拓材科技总部及高纯电子信息材料研发生产基地项目开工建设，项目总投资10亿元。

中科飞测拟投资14.81亿元用于高端半导体项目

錼创科技启动上市以来的首次募资计划

赛微电子（SZ 300456）12月6日午间发布公告，为避免相关信息对广大投资者造成误导，现予以澄清说明。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，专家们齐聚，共同探讨碳化硅功率器件及其封装技术的发展。

俄罗斯晶圆厂Angstrom-T在近期已经宣布破产。

2025年4月23-25日，九峰山论坛将在武汉光谷科技会展中心再次启航，现诚挚邀请全球化合物半导体技术领域的专家学者、行业领航者及创新先锋莅临盛会，发表精彩演讲，共享智慧火花，携手点亮化合物半导体行业的辉煌未来。

从2022年初至今，培育钻石毛坯价格累计跌幅高达85%。

期间，“超宽禁带半导体技术 I”分会上，深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士张道华做了“超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究”的主题报告，讨论超宽带隙半导体的研究状况和主要问题，分享了实验室团队近来在氧化镓和氮化铝的理论研究和材料表征等方面所做的工作。

在来自全球的4000家企业已注册参展的档口，出了“幺蛾子”，大量中国企业人员签证申请被拒

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

邦德激光全球总部基地智能工厂正式启用

“第三代半导体标准与检测研讨会”上，嘉宾们齐聚共同探讨第三代半导体标准与检测相关的最新进展。

维信诺（Visionox）可能会在明年上半年某个时候订购其第8代OLED厂使用的设备。

12月2日，北京赛微电子股份有限公司（简称：赛微电子）在投资者互动平台表示，受外部客观因素影响，拟在合肥高新区投资建设12吋M