第三代半导体产业数字化公共服务平台

小米集团董事长雷军今天在投资者日上宣布，小米造车及团队各项工作的进展都远超他的预期，预计小米汽车于 2024 年上半年正式量产。

瑞典皇家理工学院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大会报告，分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果，并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。

据上交所科创板上市委2021年第77次审议会议结果显示，广东希荻微电子股份有限公司（以下简称：希荻微）科创板IPO成功过会。

该项目为“第三代半导体与面射型激光芯片制造、封测及芯片切割设备先进制造项目”，由广东沃泰芯科技有限公司投资兴办，主要生产经营范围为第三代半导体与面射型激光芯片制造、封测及芯片切割设备的研发、生产、销售。

不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、感光性能、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶专用化学品。

10月20日氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体的股票正式开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。

在GaN技术成熟度路线中，当前GaN技术已走出泡沫化的低谷期来到稳步爬升的光明期；现阶段GaN功率器件主要受快充市场拉动，在消费电子PD快充市场爆发；GaN功率器件由650V及以上高压产品兴起，未来将在80V-150V及30-60V的中低压市场焕发更大活力。

功率半导体行业情况预测2025年国内功率半导体500亿市场，目前国产化渗透率很低。预测未来整个功率三大块：汽车、光伏、工控。还

报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。

半导体产业网根据公开消息整理：苹果、恒烁半导体、盛美半导体、SK海力士、美光科技、华微电子、芯德科技、东方茸世、喻芯半导体、普兴电子等公司近期最新动态，以及行业动态

10月18日盛美半导体湿法设备2000腔顺利交付！累计出货超过300台设备。

8月份出口到中国大陆的总额为14210万亿日元，从中国大陆进口为16293万亿日元，贸易逆差为2082.4亿日元。

芯片架构提供商Arm的CEO西蒙·希格斯(SimonSegars)。在当地时间周一的一场科技会议上，希格斯表示半导体短缺将持续到明年。

韩业界预测，半导体企业或将通过与美国政府协商，除客户机密信息之外，在一定程度上公开信息。

武汉喻芯半导体有限公司宣布完成数千万元首轮融资，投资方是珞珈梧桐创投。

10月19日，东方电子股份有限公司公告称，其全资子公司烟台东方威思顿电气有限公司与专业投资机构合作设立东方茸世（烟台）创业投资合伙企业（有限合伙），并完成工商登记和私募基金备案。

据日本当地行业媒体报道，国际存储芯片巨头美光科技（Micron）计划在日本广岛市新建一座DRAM芯片厂，同样有望拿到日本政府的大额补贴。

据《石家庄日报》报道，河北普兴电子科技股份有限公司石家庄外延材料产业基地一期项目目前正在施工中。