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三星电子副会长李在镕将于下月前往美国出差，对三星电子美国第二家晶圆工厂选址做出拍板决策，并对三星电子北美地区事业进行现场考察。

ASML称，三季度，EUV光刻机系统的订单量达到了29亿欧元，且当季的出货量和收入创下历史新高。目前，ASML主力EUV光刻机是TWINSCAN NXE:3600D，其在客户那里也达到了每小时加工160片晶圆的创纪录效率。

民德电子拟与晶圆代工企业浙江广芯微电子，及浙江广芯微电子的股东谢刚签订投资协议，约定由公司向目标公司增资6,000万元，增资款来源为公司自有资金

预计新公司开发的模块产品将于2022年投入量产,并已计划用于电动汽车。

2020年Si的渗透率约为97.85%，氮化镓GaN的渗透率仅为0.17%，处于起步阶段。但从未来发展趋势来看，氮化镓的渗透率将会持续上升。

广东省东莞市石碣镇2021年重大项目集中推进会举行，会上，石碣百达半导体材料增资扩产项目、东莞鹏龙超精密光学智能制造及研发扩建项目（二期）等3个新开工项目正式启动建设。

麦肯锡对全球半导体公司的整体经济形势做了宏观分析，并且追溯了半导体产业过去二十年的表现，考察了11个细分市场和三个关键的全球地区。

美国斯坦福大学教授Hemamala Karunadasa领导的团队在《科学》杂志中发表文章，介绍了一种更简单快捷的复杂材料自动组装方法。他们用钙钛矿培育了二维层，并在大晶体中与其他薄层材料交叉和自组装。

新南威尔士州政府正在寻求一个当地组织,以便明年在悉尼科技中心区成立一个新的半导体局,作为参与全球5700亿美元半导体市场设计阶段的战略推动的一部分。

小米集团董事长雷军今天在投资者日上宣布，小米造车及团队各项工作的进展都远超他的预期，预计小米汽车于 2024 年上半年正式量产。

瑞典皇家理工学院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大会报告，分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果，并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。

据上交所科创板上市委2021年第77次审议会议结果显示，广东希荻微电子股份有限公司（以下简称：希荻微）科创板IPO成功过会。

该项目为“第三代半导体与面射型激光芯片制造、封测及芯片切割设备先进制造项目”，由广东沃泰芯科技有限公司投资兴办，主要生产经营范围为第三代半导体与面射型激光芯片制造、封测及芯片切割设备的研发、生产、销售。

不同用途的光刻胶曝光光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、感光性能、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶专用化学品。

10月20日氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体的股票正式开始在纳斯达克全球市场交易，股票代码为“NVTS”。

在GaN技术成熟度路线中，当前GaN技术已走出泡沫化的低谷期来到稳步爬升的光明期；现阶段GaN功率器件主要受快充市场拉动，在消费电子PD快充市场爆发；GaN功率器件由650V及以上高压产品兴起，未来将在80V-150V及30-60V的中低压市场焕发更大活力。

功率半导体行业情况预测2025年国内功率半导体500亿市场，目前国产化渗透率很低。预测未来整个功率三大块：汽车、光伏、工控。还

报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。

半导体产业网根据公开消息整理：苹果、恒烁半导体、盛美半导体、SK海力士、美光科技、华微电子、芯德科技、东方茸世、喻芯半导体、普兴电子等公司近期最新动态，以及行业动态

10月18日盛美半导体湿法设备2000腔顺利交付！累计出货超过300台设备。