第三代半导体产业数字化公共服务平台

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为掩膜版图形及其优化方法的专利，公开号 CN 118838110 A，申请日期

10月29日，由东海投资与淄博市临淄区共同出资设立的淄博东海新驱动创业投资合伙企业（有限合伙）完成基金备案，总规模2亿元。东

据苏州高新区消息，10月29日，冠礼全国总部及产业化基地项目在苏州高新区正式开工奠基。该项目由苏州冠礼科技有限公司投资建设，

国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为半导体结构及制备方法的专利，公开号CN 118829192 A，申请日期为2023

国家知识产权局信息显示，深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利，授权公告号CN 221885077 U，申请日期为2024

团聚金刚石技术是中机新材在金刚石减薄砂轮领域的一大创新。通过这一技术，能够有效地解决微粉磨料的软团聚问题，提高混料的均匀性。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。目前，“氮化物半导体固态紫外技术及应用分会”最新报告日程正式出炉。

河北：推动新一代信息技术产业高质量发展

美国芝加哥大学普利兹克分子工程学院团队展示了界面生物电子学领域的新突破：他们创造出具有强大半导体功能的新型水凝胶材料。

10月28日，光谷机器人生态创新中心（以下简称中心）启动，华中科技大学、武汉科技大学、武汉工程大学等首批12所高校机器人研发团

热烈庆祝盛美临港研发与制造中心迎来里程碑时刻——首台量测设备 KLA-Tencor Surfscan SP7入驻研发洁净室！

作为IFWS的重要技术分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉！

英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300mm，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

压力之下，闻泰科技如何在逆境中找到破局之道，不仅稳固了市场地位，更实现了业绩的飞跃？

拜登政府敲定针对美国个人和公司投资中国先进技术的限制，其中包括半导体、量子计算和人工智能（AI）。新规旨在防止美国资本和专业知识被用来帮助中国开发先进科技关键技术。

由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本，已成为美日对华半导体竞争的最前沿。

工业和信息化部、国家发展改革委、财政部、国务院国资委、市场监管总局、国家数据局等六部门近日联合印发通知，部署开展2024年度