国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法”的专利，公开号 CN 119767702 A，申请日期为2024年9月 。
专利摘要显示，一种制造功率半导体器件的方法，包括：提供半导体本体，其具有被绝缘材料覆盖的竖直突出的鳍部(16)，该绝缘材料被电极材料覆盖，其中隔离材料至少部分地覆盖该电极材料；暴露布置在鳍部的上部上方的电极材料的一部分；去除电极材料的暴露部分，以暴露被绝缘材料覆盖的鳍部的上部，从而形成与鳍部的暴露上部的两侧相邻的相应凹槽，该凹槽在空间上由绝缘材料、电极材料和隔离材料限制；通过对隔离材料的在空间上限制该凹槽的部分的边缘进行斜切，提供另外的绝缘材料以及随后的去除处理步骤，在器件的暴露部分的顶部上形成层间电介质ILD，以重新暴露鳍部的上部而隔离材料不覆盖它；在ILD上方形成第一负载端子，其被配置为接触鳍部的上部。