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近日,中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破,牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目,获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。

碳化硅是第三代半导体产业发展重要的基础材料。碳化硅器件以其优异的耐高压、耐高频、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电

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核心提示:半导体产业网讯:近日,武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上,以A review of ther

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近日,厦门大学康俊勇教授团队采用铁电栅控方法,首次实现了对单层和双层WS2的非易失性能谷调控,并在室温下获得了较高的谷极化

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核心提示:2022中关村国际前沿科技创新大赛-国际第三代半导体专题赛决赛(以下简称大赛)将于11月18日正式拉开帷幕。15个经初赛、复赛各环

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