第三代半导体产业数字化公共服务平台

据悉，近日，中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的

4月27日，佛山市国星光电股份有限公司发布公告称，公司于近日收到国家知识产权局颁发的9项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro

我国拥有良好的LED产业基础，全球约2/3的传统LED产业链资源都集中在中国大陆，我国还主导全球液晶面板产业，成熟的半导体技术和先进的LED固晶技术走在Mini/Micro LED行业前列，我国在Mini/Micro LED等新型显示赛道具备领跑潜能。

三方拟合作建设半导体生产制造及封装基地项目。该项目将在郑州航空港实验区建设第三代化合物半导体SiC生产线、高可靠集成电路封装生产线、工业模块电源生产线，打造集IC设计、芯片制造、先进封装为一体的产业生态体系。

开发区壹度光电半导体芯片项目40nm驱动芯片已经量产、三超金刚石划片刀量产在即，高光半导体、晶能第三代半导体材料等一批产业链项目纷纷落户，实现了句容半导体产业从“0”到“1”、从无到有的蜕变，快速崛起的强劲态势，也点燃了高质量发展的“芯”引擎。

北京经开区北方华创、世纪金光等企业提前布局研发SiC，北汽新能源率先用上第三代半导体零部件，在第三代半导体碳化硅迎来“上车”时刻抢抓市场先机

在Covid-19 大流行于 2020 年开始导致全球封锁和全球经济严重衰退一年后，许多终端市场需求反弹和供不应求的零件价格大幅上涨。然而，由于 CMOS 图像传感器增长乏力，导致2021 年的光电销售增长有所放缓，部分原因是美国和中国之间的贸易摩擦。

10月25日，晶盛机电发布公告，拟定增募资不超过57亿元，用于碳化硅（SiC）衬底晶片生产基地项目、12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目、年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目以及补充流动资金。

德国晶圆制造商世创电子（Siltronic）宣布，其位于新加坡JTC淡滨尼晶圆厂园区的300mm（12英寸）制造工厂破土动工，预计到2024年底投资约20亿欧元（约合人民币148.06亿元）。

据业内消息人士透露，手机用电源管理IC的供应仍然严重紧张，促使芯片供应商转向12英寸晶圆制造。

特斯拉所指的缺料状况，主要针对半导体芯片，包括微控制器（MCU）、电源管理IC等，现阶段都一货难求，连身为全球电动车一哥的特斯拉都难逃冲击。长短料导致特斯拉生产受阻，也将牵动贸联-KY、和大等相关台湾供应链后市。

瑞典皇家理工学院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大会报告，分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果，并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。

据上交所科创板上市委2021年第77次审议会议结果显示，广东希荻微电子股份有限公司（以下简称：希荻微）科创板IPO成功过会。

报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。

据日本当地行业媒体报道，国际存储芯片巨头美光科技（Micron）计划在日本广岛市新建一座DRAM芯片厂，同样有望拿到日本政府的大额补贴。