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5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。东南大学副教授魏家行将受邀出席会议，并带来《碳化硅功率MOSFET关键技术新进展》的主题报告，报告将从产品结构、制造工艺、可靠性、典型应用等方面出发，介绍当下SiC功率MOSFET器件关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望，敬请关注！

电子科技大学功率集成技术实验室罗小蓉教授团队联合华润微电子(重庆)有限公司，在学术期刊IEEE Electron Device Letters发表了一篇名为Experimental Study of Heavy Ion Irradiation Hardness for p-GaN HEMTs Under Off-state with Negative Gate Voltage的学术论文。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。复旦大学上海碳化硅中心副主任刘盼将受邀出席会议，并带来《1200V IGBT与SiC MOSFET的短路性能对比研究》的主题报告，将分享最新研究进展，敬请关注！

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。北京国联万众半导体科技有限公司总经理助理王川宝将受邀出席论坛，并带来《SiC基GaN射频芯片与电力电子芯片技术》的大会报告，

扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目开工。

5月22-24日， “2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）”将于南京举办。届时，西安电子科技大学集成电路学部/教授、芯丰泽半导体创始人宋庆文将受邀出席论坛，并带来《高性能SiC功率器件关键技术研究进展》的主题报告，报告将介绍包括高性能平面和Trench 栅型SiC功率MOSFET等代表性器件的现状和最新进展，讨论高性能SiC功率器件关键性能提升和可靠性等方面热点问题，敬请关注！

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越

近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situ GaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced interface state density（具有高阈值电压稳定性和低界面态密度的Al2O3/原位GaON栅介质高电子迁移率晶体管研究）为题发表在学术期刊Applied Physics Letter

2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ

纳微半导体今日宣布推出最新SiCPAK功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的沟槽辅助平面栅碳化硅MOSFET技术，经过严格

4月16日，美国Polar Semiconductor公司宣布与日本瑞萨电子株式会社（简称瑞萨电子）达成战略协议，获得其硅基氮化镓（GaN-on-Si

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由杭州飞

2025年4月15日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由上海交

近日，深圳大学刘新科团队以GaN-on-diamond technology for next-generation power devices为题在MaM上发表综述文章，详细阐述了

4月10日，意法半导体官网宣布 重塑制造布局和调整全球成本基础 计划。预计在未来3年，重点关注300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造

近日，厦门大学与厦门市未来显示技术研究院的研究团队在钙钛矿窄带光电探测器研究领域取得重要突破，在期刊《LaserPhotonics Rev

杭州芯聚半导体5万KK Micro LED MIP研发生产项目开工仪式在和达芯谷举行。

在AR/VR设备加速向视网膜级显示进军的当下，Micro-LED技术悬崖悄然显现：外延材料与CMOS驱动的不匹配、微缩化带来的效率骤降、像