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德智新材邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日,2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导
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近日,国际集成电路物理设计会议(International Symposium on Physical Design, ISPD)公布竞赛结果,复旦大学微电子学院教授
近日,央视《焦点访谈》栏目播发专题报道《强强联合 补短锻长》,聚焦工信部新批复的国家石墨烯创新中心、国家虚拟现实创新中心
半导体发光器件是固态显示与照明技术的共同基础。近年来,随着人们对不同类型的发光器件的深入研究,新型显示与照明技术得到了相
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半导体产业网获悉:8月12日,能讯半导体受邀参展2022 EDICON Across China北京大会。会议现场,能讯半导体射频产品中心总监刘鑫
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半导体产业网讯:6月30日(周四)14:00,NEPCON将组织ICPF(ICPackagingFair)直播活动,本场直播将邀请世界知名封测厂与设
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在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成
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作为新型的宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)由于自身的优异性能,凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。
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