第三代半导体产业数字化公共服务平台

工业和信息化部、国家发展改革委近日联合印发《新材料中试平台建设指南（2024—2027年）》

国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为功率半导体器件结构及其制备方法的专利，公开号 CN 118748202

“智慧健康照明技术及应用”主题分会上，来自南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心（南昌实验室）、朗德万斯、江西省应用光学技术重点实验室、金鉴实验室、勤上光电、升谱光电、同方股份等实力派代表性企业机构的嘉宾们带来精彩报告

近日，北京市经济和信息化局发布了北京市第六批专精特新小巨人企业和第三批专精特新小巨人复核通过企业名单。顺义区第三代半导体

国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

武进国家高新区—常州大学化合物半导体创新联合体正式签约揭牌

2024年6月24日，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，党和国家领导人出席大会并为获奖代表颁奖。据悉，2

国家新能源汽车技术创新中心与长城汽车股份有限公司共同揭牌成立“车规级芯片联合实验室”

新华社北京5月30日电国务院总理李强日前签署国务院令，公布《国务院关于修改〈国家科学技术奖励条例〉的决定》(以下简称《决定

4月16日，国家重点研发计划单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究项目启动暨实施方案论证会在济南召开。山东大学副校长芦延

晶能微电子项目：厂房建设按下快进键昨天上午，走进位于嘉兴国家高新区（高照街道）唯胜路与八字路段的晶能微电子项目建设现场，

据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法，授权公告号CN114373837B，申请

3月26日，2024临港科创大会在上海临港（600848）中心隆重召开。在市委市政府、临港管委会各位领导的见证下，长三角国家技术创新

据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备，公开号CN117766402A，申请日期为2023

集成电路作为支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业近年来也备受关注。

据国家知识产权局公告，海信家电集团股份有限公司申请一项名为半导体装置，公开号CN117650166A，申请日期为2023年10月。专利摘要

2月23日，记者从中国政府网获悉，国务院任免国家工作人员，任命单忠德为工业和信息化部副部长。单忠德，1970年1月出生，山东高密

2024年1月30日，中机新材董事长陈斌专程拜访山东大学徐现刚教授。此次会面，双方不仅进行了深度的交流，更在多个领域达成了共识。

据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代