国家知识产权局信息显示，北京天科合达半导体股份有限公司申请一项名为“一种在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的方法”的专利，公开号CN 119663431 A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于物理气相传输法生长碳化硅单晶的坩埚，所述坩埚包括坩埚主体以及设置在坩埚中的多孔石墨件；所述多孔石墨件为侧面具有对称凹面的圆柱形多孔石墨件或单页双曲面形状的石墨件。本发明设计了一种高效、快捷地改善温场和流场的坩埚，能够明显的提高物理气相传输法生长碳化硅单晶过程中原料的利用率。本发明采用物理气相传输法，结合碳化硅晶体生长热力学、动力学和结晶学过程，在坩埚底部安装自研的两边凹的空心圆柱形多孔石墨件，石墨件可以起到优化温度场和调控物质传输过程、改善原料中部气体输运通道重结晶导致气相组分输运困难，确保碳化硅原料被充分利用，实现原料利用率最大化的目的。
天眼查资料显示，北京天科合达半导体股份有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50600万人民币，实缴资本50600万人民币。通过天眼查大数据分析，北京天科合达半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目256次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息159条，此外企业还拥有行政许可148个。