国家知识产权局信息显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司申请一项名为“一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用”的专利，公开号CN 119824526 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及其应用，属于碳化硅单晶生长设备技术领域。本申请提供一种在PVT法生长碳化硅单晶时放置于坩埚体内的装料装置，用于盛装碳化硅粉料，该装料装置包括筒体和可拆卸设置在筒体上的顶盖，筒体包括侧壁和筒体底部，筒体的侧壁由可以供所述碳化硅粉料分解的气相组分通过、但阻挡碳颗粒的多孔材料制成，顶盖由阻挡所述碳化硅粉料分解的气相组分通过的致密材料组成。本申请还提供利用上述装置生长单晶的方法，通过使用装料装置进行碳化硅单晶生长，可以改变物料气氛的传输路径，避免了重结晶区域阻挡气氛传输，解决了晶体生长速率突变的问题，减少了碳包裹体的生成，有效提高了所制得碳化硅晶体的质量。
天眼查资料显示，广州南砂晶圆半导体技术有限公司，成立于2018年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本35680万人民币。通过天眼查大数据分析，广州南砂晶圆半导体技术有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可66个。
（来源：金融界）