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9月6日,第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心(南京)一期项目竣工投产。国家第

该项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

今年第二季度,国际半导体产业协会(SEMI)正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》(Spec

日前,三安光电公布了2023年半年报,报告期内整体营收约64.69亿元,同比下降4.33%;归属于上市公司股东的净利润1.7亿元,同比下

2023年7月26-28日,2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指

功率与光电半导体器件的设计与集成应用在提高能源利用效率、推动通信技术进步、促进科学研究和医疗技术革新等方面发挥着至关重要

7月26-28日,江苏省第三代半导体研究院邀您参加在西安召开的2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛。CASICON 2023西安论坛

以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量,其在光电子,射频

2023年7月26-28日,2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛将于西安召开。西安电子科技大学微电子学院在读博士研究生王逸飞

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苏州高视半导体技术有限公司邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日,2023碳化硅关键装备、

德智新材邀您参加2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛。2023年5月5-7日,2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导

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