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当前，Micro-LED显示是备受关注的新一代显示技术，具备高质量显示的大多数特征；可以涵盖显示的所有应用场景，在超大尺寸、超高

十四五以来，基于自发光显示的微投影显示光学系统成为了研究热点。近日，在厦门召开的第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车

2023年11月28日，经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议，CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S

十四五开局之始，各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向，构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展十四

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部

Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势，已

2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开

作为智能交互的重要端口，新型显示已成为承载超高清视频、物联网和虚拟现实等产业的重要支撑和基础。同时也逐渐成为电子信息产业

2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开

Micro-LED是未来显示技术最重要的发展方向之一，MicroLED技术具有响应时间快、亮度高、色彩饱和度高等优势，但是需要解决制造工

Mini/Micro-LED技术已经在显示技术领域取得了显著的进展。大屏幕显示、可穿戴设备和智能手机、汽车显示系统、AR（增强现实）和VR

世界500强企业贺利氏（Heraeus）近日收购了SiC衬底供应商Zadient的多数股份。作为德国高科技材料企业，贺利氏认为SiC衬底市场具

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录 共同推动香港微电子产业发展10月13日 - 由创新科技及工业局和引进重点企

9月19日，以半导体设备与新材料为主题的产学研对接会在北京大学东莞光电研究院（下称北大光电院）召开。来自激光器、Micro LED、

9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第

该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》（Spec