半导体产业网讯：近日，第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）举办。本网特派记者参加ISPSD2025，并在现场也遇见了联盟和IFWS&SSLCHINA诸多老朋友，同时也了解了当前最新技术&新方向，以下简单回顾一下热点走向！

图：ISPSD2025，日本·熊本市

图：ISPSD 2025开幕大会主旨报告

ISPSD被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议，一直以来都是国内外产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。ISPSD在欧洲、北美、中国、日本及其他地区轮流举办，中国大陆曾在2019年由浙江大学和CASA主办，中国香港曾由港科大于 2015和2023年在香港主办。

图：ISPSD 2019开幕大会，中国·上海

图：ISPSD2019现场照（记者ISPSD2025现场见到了联盟及IFWS&SSLCHINA诸多老朋友）

作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、功率集成、工艺、封装和应用等功率半导体领域的所有方面，是功率器件领域最具影响力和规模最大的顶级国际学术会议，也是功率半导体器件和功率集成电路领域技术讨论的顶会。与各位同仁分享几点现场所见所闻。

图：ISPSD 2025 日程安排

随着AI应用爆发，氮化镓研究成果百花齐放，现场讨论度更高

图：ISPSD 2025 Short Course现场

开幕大会前的Short Course中，一共有7个，分别涵盖碳化硅衬底材料、氮化镓功率器件、硅功率器件、功率IC 技术、EDA设计，可靠性与监测、以及先进封装 等方向。

其中，碳化硅衬底材料由中国碳化硅上市公司山东天岳CTO 高超博士主讲《200mm SiC衬底的开发和300mmSiC的机会与挑战》。详细分享了大尺寸碳化硅衬底的技术发展，阐述200毫米碳化硅衬底在批量生产中的进展以及材料和器件方面的技术重点，对300 mmSiC衬底的开发进展，并讨论该行业300mm面临的挑战和机遇。

图：ISPSD 2025开幕大会介绍

图：Umesh K. Mishra带来大会主旨报告

在开幕大会主旨报告环节，一共两个大会报告：第一个是来自UCSB教授、Transphorm联合创始人Umesh K. Mishra带来大会主旨报告。Umesh教授也是我们老朋友，曾连续多年来中国参加IFWS&SSLCHINA。

图：本网记者现场遇见了诸多联盟和IFWS&SSLCHINA程序委员会专家和特邀嘉宾，并现场邀请参加2025年11月12-14日在厦门召开的IFWS & SSLCHINA 2025！

Umesh教授他在报告重回顾GaN器件在电力电子应用中的发展历史，并对未来进行预测。他认为，随着市场的不断发展，GaN对于许多电力电子应用来说是一个非常令人兴奋的解决方案，在许多方面，它可能比硅和碳化硅更重要。主要原因仍然是其优越的材料性能，最重要的是AlGaN/GaN异质结提供的高迁移率。水平GaN功率器件很有吸引力，因为保持电压的整个区域是一个高电子迁移率区域，它独特地能够提供双向电压关断，这在许多应用中都很重要，包括太阳能逆变器、充电器和电机驱动器。水平器件也可以与其他器件集成智能功能。水平器件的缺点是芯片尺寸较大，需要场板来管理场，这些问题可以通过超级结技术来缓解，目前多个研究机构正在研究这些问题。另一方面，垂直GaN器件对于小芯片尺寸和高电压额定值具有吸引力，但电子迁移率明显较低，需要低位错密度块体衬底才能可靠运行，这可能会增加成本。

图：Junichi KITANO带来大会主旨报告

另一个大会报告是：由日本中央铁路公司的Junichi KITANO带来的“日本中央新干线超导磁浮列车和新型功率半导体电力转换”的报告。报告介绍，作为东海道新干线的后继者，目前正在品川至名古屋之间进行建设。由于安装在车辆上的超导磁铁与地面上的悬浮引导线圈之间的动态电磁感应，超导磁悬浮力可以在没有控制的情况下悬浮10厘米，并在U型混凝土导轨内以500公里/小时的超高速度行驶。超导磁悬浮悬浮和行驶的关键是超导磁铁的强磁场和直线电机技术。半导体功率转换是超导磁悬浮列车的关键技术，自大容量晶闸管出现以来，它已经与新半导体功率器件如光触发晶闸管、GTO、IGBT、GCT和IEGT一起发展。此外，动态WPT用于向悬浮而不接触的车辆提供约1兆瓦的辅助电力，这里高频半导体功率转换技术也很重要。碳化硅半导体的出现使得构建高效系统成为可能。

图：ISPSD2025：Charitat Young Researcher Award

图：ISPSD2025：The Best Poster Award

会议期间，今年ISPSD2025最佳青年研究员以及最佳POSTER都颁发给了氮化镓。麻省理工学院团队凭借“直接光触发全垂直氮化镓功率鳍式场效应晶体管”的首次演示，获得了最佳青年研究员奖。中国科大杨树教授团队的“低导通电阻和小温度依赖性的垂直氮化镓（GaN-on-GaN）沟槽型 MIS 场效应晶体管”获得了最佳POSTER奖。

图：中国科大杨树教授POSTER现场讲解

碳化硅、氧化镓、氮化镓方向投稿数量最高，中国101篇居榜首

图：ISPSD历届征文投稿数量统计，2025年350篇创新纪录

ISPSD 2025共计收到稿件350篇，并创ISPSD征文数量新纪录。今年ISPSD实际录用176篇，录用率为50.3%。

图：ISPSD2025投稿论文各方向录取统计

按照论文征集方向看，碳化硅（SiC）\氧化镓（Ga2O3）方向和氮化镓（GaN）方向投稿数量都超过100篇，是投稿数最高的两个方向；功率集成设计（ICD）方向投稿数量增长超过50%；低压器件（LVT）方向、高压器件（HV）方向、模组与封装（PK）方向的投稿数量均有所下滑。但是6个方向的论文录用比例均在50%以上。并且，在176篇录用论文中，口头报告（Oral）有58篇，海报报告（Poster）118篇。中国内地录用的84篇中，有16篇口头报告，68篇海报报告。

据TPC成员透露消息，录用的176篇来自12个国家，按国家入选数量统计排名（按第一作者所在国家统计），中国是入选论文数量最多的国家，共录用101篇（中国内地84篇，中国香港7篇，中国台湾10篇），日本录用34篇，德国录用10篇，美国录用7篇，韩国、瑞士和西班牙各录用5篇，法国录用4篇，加拿大录用2篇，奥地利、新加坡和英国各录用1篇。

来源：芯思想

芯思想统计表显示，ISPSD 2025中国内地投稿占全球总比重为48%。其中在氮化镓（GaN 66%）和氧化镓（GaO 61%）方向具备优势；在碳化硅（SiC 40%）、功率集成设计（ICD 36%）、低压器件（LVT 50%）方向研究上实力不俗；在封装（PK 33%）研究方面呈现逐年上升趋势，但是在高压器件（HV 20%）方向研究上稍显不足，有待进一步加强。

来源：芯思想

根据芯思想统计表可清楚看出，ISPSD2025共有74个机构有论文入选，按第一作者所在机构统计，学术界方面，前五位都是中国内地高校，电子科技大学以17篇高居榜首；中国科学技术大学以11篇排第二；复旦大学和浙江大学以7篇并列第三；东南大学6篇排名第五。工业界方面，东芝以6篇排名第一，三菱和英飞凌各以5篇并列第二，瑞萨和意法半导体以3篇并列第四。

图：ISPSD 2025 POSTER展示交流

最后，现场公布了ISPSD 2026 将于5月24-28日在美国拉斯维加斯举办，General Chair: Alpha & Omega Semiconductor 的Dr. David Sheridan 担任大会主席。英飞凌的 Dr. Sameh Khalil 担任技术程序委员会主席。

图：ISPSD名人堂大咖们与日本太鼓达人互动

瞻芯电子与浙大联合发表10kV SiC MOSFET研发成果！

科研成果| 黄伟教授课题组的五项研究成果录用于ISPSD 2025

突破行业盲区！理想自研SiC芯片团队在国际顶会发表重要成果

下一站，IFWS&SSLCHINA 2025，中国厦门见！

作为年度国际第三代半导体产业盛会——“第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2025）”将于2025年11月12-14日在厦门召开。本届论坛由厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办，惠新（厦门）科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

国际第三代半导体论坛(IFWS)是由中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)是半导体照明领域最具规模、参与度最高的专业年度盛会。论坛聚焦前沿趋势与热点领域，内容全面覆盖原材料、工艺装备、技术、产品及应用领域，是国内历史最悠久、最具权威的LED行业论坛。IFWS&SSLCHINA两大论坛强强联合，作为经典行业年度国际盛会，迄今已覆盖90多个国家及地区，演讲嘉宾超过3700位，举办了457场峰会，专业观众超过46200位，提交学术论文5810篇，合作伙伴1915家。

IFWS&SSLCHINA2024现场回顾

本届会议将全新升级，除了数十场前沿主题论坛，2025先进半导体技术应用创新展(CASTAS2025) 、青年论坛、产业链供需对接会、校友会、强芯沙龙·会客厅、芯友荟专访、City walk等丰富多彩的系列活动。同时，还将启动"2025年度中国第三代半导体技术和产业十大进展"征集与评选，瞄准第三代半导体领域前沿技术研究和标志性成果，最终结果令人期待。

论坛长期与IEEE合作，投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore电子图书馆发表，优秀论坛还将推选至优秀期刊发表，其中IEEE是EI检索系统的合作数据库。欢迎行业专家学者业界同仁积极投稿。

值此，论坛组委会诚邀海内外第三代半导体产、学、研、用、资不同环节的业界同仁，11月相聚美丽温暖的鹭岛厦门，共探产业发展“芯”机会，共创产业发展新未来。——定档11月！年度国际盛会IFWS & SSLCHINA 2025 厦门见

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备注：上述ISPSD论文数据等信息引用自“芯思想”，在此表示感谢。随手整理，仅供参考！