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1月20日，北京晶飞半导体宣布，公司SiC激光剥离设备成功发运行业头部企业客户。资料显示，北京晶飞半导体成立于2023年，是一家专

北京晶飞半导体SiC激光剥离设备成功发运行业头部客户。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Car

其中芯联集成2024年的亮眼业绩，便是最典型的案例之一。

美国芯片制造商Wolfspeed已将其位于达拉斯郊外的得克萨斯州工厂挂牌出售。该工厂位于Farmers Branch，通过Loopnet以未披露的价格

近日，印度Indichip Semiconductors Limited与日本Yitoa Micro Technology Limited (YMTL) 携手合作，与安得拉邦政府签署了一份

在半导体基辐射探测器研制方面取得新进展，相关成果发表在 IEEE Electron Device Letters 期刊上。

在产线建设过程中，超30款量产设备和材料由天马联合我国产业链企业首创。

科瑞半导体实施功率半导体产业链倍增计划，推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级，于6月投资启动实施一期项目IGBT、SiC第三代半导体基础工艺封测产线建设，扩建半导体功率器件框架生产线，主要应用于充电桩、新能源汽车等领域。

12月14日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼在上海圆满举行。现场，东方晶源微电子科技

在近期发表于 Science 的研究中，德国赫姆霍兹研究所Christoph J. Brabec和武建昌联合厦门大学王露遥、卡尔斯鲁厄理工学院 Pascal Friederich和韩国蔚山国立科学技术院Sang Il Seok开发了一种闭环自动化工作流程，首次实现了针对光电应用的有机半导体逆向设计，通过大数据和机器学习识别出决定有机半导体光电性能的关键因素，并将器件性能提升至26.2%的光电转换效率（PCE），这是该领域的重要突破。

欧盟委员会批准了一项13亿欧元的意大利补贴，以支持新加坡初创公司Silicon Box在诺瓦拉建造一个半导体先进封装和测试设施。

12月17日，Cree LED宣布与达科（Daktronics）签署一项为期多年的全球专利许可协议，该协议将于2024年12月生效。Cree LED将在协议

12月18日，深圳雷曼光电科技股份有限公司（下称雷曼光电）与成都辰显光电有限公司（下称辰显光电）在成都正式签署战略合作协议。

美国国防部宣布已于12月13日将中微半导体设备（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG资本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）从中国军事企业清单（CMC清单或1260H清单）中移除。

天岳先进与您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

中南大学汪炼成联合中科院半导体研究所、湖南大学团队等近年一直致力原位集成超表面光场调控Micro-LED器件研究。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术