9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将于云南昆明举办。届时，浙江大学杭州国际科创中心科创百人计划研究员韩学峰将受邀出席论坛，并带来了《PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理研究》的主题报告，敬请关注！
嘉宾简介
韩学峰，浙江大学杭州国际科创中心“科创百人”计划研究员。2016年博士毕业于首尔大学，曾在日本九州大学、法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学开展博士后研究。长期从事大尺寸硅及碳化硅单晶生长过程中传热传质现象与数据科学研究，与国内外领先半导体材料企业建立了深入的合作关系。创新开发出偏角生长计算模型，基于该模型首先提出使用大籽晶降低基平面位错策略。同时研发了多段式电阻加热技术，助力合作企业入选杭州独角兽企业。发表SCI论文40余篇，第一及通讯作者30余篇。获得授权发明专利6项。作为负责人承担国家自然科学基金项目，作为参与单位负责人承担浙江省科技厅“尖兵”研发攻关计划项目，浙江省自然基金重大项目，杭州市“西湖明珠工程” 领军型创新团队项目。入选浙江省海外高层次人才。担任晶体生长领域权威SCI期刊《Journal of Crystal Growth》客座编辑，SCI期刊《Crystals》客座编辑，中文核心期刊《人工晶体学报》青年编委、碳化硅及相关材料国际会议（ICSCRM）组委会成员、第二十一届国际晶体生长大会（ICCGE-21）分会主席、第九届亚洲晶体生长技术大会（CGCT-9）分会主席、2025年第八届机器学习与机器智能国际会议（MLMI2025）分会主席。
单位简介
浙江大学杭州国际科创中心成立于2019年9月20日，是新时代杭州市和浙江大学全面深化市校合作共建的重大创新平台，是建设高水平创新型省份、打造区域科创高地的重大工程，是服务浙江打造“重要窗口”推进“两个先行”的重要举措。浙江大学杭州国际科创中心依托研究院、创新工坊在内的23个创新平台，系统搭建“3全国重点实验室+1省技术创新中心+1省制造业创新中心+1省级研究院+9省重点实验室（4个牵头、5个参与）+3省工程研究中心+3省国际联合实验室+1省国际合作基地”创新体系。
报告前瞻
报告题目：PVT法生长4H-SiC晶体的缺陷形成与掺杂机理研究
报告摘要：本研究采用PVT法制备4H-SiC晶体，系统研究了晶体中的杂质与位错行为。通过三维建模分析发现，工业上广泛使用的4度偏轴籽晶是导致基面位错（BPD）呈四重对称分布的主要原因，模拟计算得到的BPD密度与实验测量结果高度吻合。实验进一步揭示了电学性质的空间分布规律：p型和n型碳化硅在轴向与径向上表现出截然相反的电阻率分布趋势。此外，研究还发现过小的径向温度梯度极易诱发多型夹杂现象。通过建立二维全局计算模型，本研究深入分析了生长界面温度、C/Si比和氮掺杂量随晶体生长的动态演化规律，并综合考虑了坩埚内气体交换过程与腐蚀反应的影响，阐明了这些因素对晶体生长速率、温度场分布、C/Si比及氮气浓度分布的调控机制。计算结果与实验观测一致，基于此提出了PVT生长过程中氮掺杂效率的估算值。
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com