第三代半导体产业数字化公共服务平台

据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代

2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

近日，中国科学院上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm射频（RF）

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

　　又一家射频前端芯片独角兽即将登陆A股科创板。　　上交所官网显示，广州慧智微电子股份有限公司（简称：慧智微）目前已经通

半导体产业网获悉：8月12日，能讯半导体受邀参展2022 EDICON Across China北京大会。会议现场，能讯半导体射频产品中心总监刘鑫

氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。

　第三代半导体产业技术研究院是总投资25亿元的博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目快速推进的又一大重要举措，该项目已于本月3日在2020年一季度重大项目集中开竣工活动期间顺利开工。