该项目总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。
近日,欧普照明与武汉大学联合研发的「新一代全光谱技术」取得了重要突破,为照明行业带来了光品质的技术与标准提升及崭新的用户
今年第二季度,国际半导体产业协会(SEMI)正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》(Spec
半导体照明网消息:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日于厦
近日,由中国科学院和国家自然科学基金委员会联合部署,中国科学院院士郝跃担任编写组组长、学科领域知名院士专家共同研究编撰的
以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料正迎来广阔的发展前景,成为全球的机会和关注焦点。碳化硅作为第三代半导体产业发展
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第三届紫外LED会议暨长治LED产业发展推进大会(下称会议)将于9月12-14日在长治滨湖文旅服务中心召开。
氧化镓(Ga2O3)半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。有望实现更高耐压、更低损耗、
据悉,近日,媒体从量子计算芯片安徽省重点实验室获悉,我国科研团队成功研制出第一代商业级半导体量子芯片电路载板,可最大可支
8月11日,洪泰Family在社交媒体发布消息,泰科天润获得由洪泰基金、高精尖产业基金等投资机构的数亿元E轮融资,本轮融资将主要用
新科技时代背景下,人工智能、能源环保、自动驾驶等需求驱动下,以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料迎来广阔的发展前景
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