近日,河北同光半导体股份有限公司(简称:同光股份)宣布完成F轮融资。本轮融资规模为15亿元,由深创投制造业转型升级新材料基
晶体管是三端电子器件,其发展的主要动力是由摩尔定律主宰的微缩技术:通过使晶体管尺寸越来越小,越来越多的晶体管可以被制造到
2023年11月28日,经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议,CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S
12月5日,华测检测在上海浦东金桥产业园举办华测蔚思博(CTI-VESP)金桥芯片实验基地的开业典礼。华测检测集团总裁申屠献忠表示,
十四五开局之始,各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向,构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展十四
材料的更替是现代科技进步的根本推动力。作为第三代半导体材料,立方氮化硼(c-BN)具有仅次于金刚石的硬度,在高温下良好的化学
金刚石材料因具有超宽禁带、高载流子迁移率、高饱和漂移速度、高热导率等优异特性,被认为是终极半导体材料,已成为国内外研究热
半导体材料是信息技术产业的基石,氧化镓(Ga2O3)是潜力新星超宽带隙材料,Ga2O3 是大功率、高效率、特高压器件的理想选择。也
高效高可靠的量子点白光LED封装和热管理对于LED照明应用至关重要,直接影响着LED的性能、稳定性和寿命。关于高效高可靠量子点白
未来显示产品形态多样,功能要求严格,具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部
Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示,因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势,已
近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦门国际会议中心召开。期间,超宽禁带
近日,中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案,为光电探测器的研究提供了新的思路。日盲光
新华社北京12月4日电关于国家卓越工程师和国家卓越工程师团队拟表彰对象的公示为表彰工程技术领域先进典型,激发引领广大工程技
11月28日,位于海口市海南航芯高科技产业园的海南航芯项目首期竣工投产。这是海南发展集成电路产业破局性、引领性的引擎项目,标
科技日报记者 刘垠11月28日,第九届国际第三代半导体论坛第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门召开。国家新材料产业发展专家咨
昨日第九届国际第三代半导体论坛暨第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心举行论坛由厦门市人民政府、厦门大学第三代
2023年11月30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心胜利闭幕。
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