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核心提示：半导体产业网讯：近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上，以A review of ther

近日，美国物理联合会(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《应用物理评论》（Applied Physics Reviews）在线发表了上

由工业和信息化部电子第五研究所牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等

科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。

在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成

据悉，长电科技今日在投资者互动平台表示，公司同时具备碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)芯片封装和测试能力，目前已在光伏和车用充电桩出货第三代半导体封测产品。

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的

三方拟合作建设半导体生产制造及封装基地项目。该项目将在郑州航空港实验区建设第三代化合物半导体SiC生产线、高可靠集成电路封装生产线、工业模块电源生产线，打造集IC设计、芯片制造、先进封装为一体的产业生态体系。

北京经开区北方华创、世纪金光等企业提前布局研发SiC，北汽新能源率先用上第三代半导体零部件，在第三代半导体碳化硅迎来“上车”时刻抢抓市场先机

10月25日，晶盛机电发布公告，拟定增募资不超过57亿元，用于碳化硅（SiC）衬底晶片生产基地项目、12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目、年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目以及补充流动资金。

瑞典皇家理工学院（KTH）教授Carl-Mikael Zetterling将出席IFWS & SSLCHINA 2021并做大会报告，分享用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路的最新研究成果，并且将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。

报告从p-GaN帽层增强型器件栅压摆幅受限的物理机制分析出发，结合新型栅极结构方案设计与实验验证，包括反向pn结帽层结构、极化掺杂p型帽层结构等，系统讨论栅极设计对器件可靠性及动态损耗的影响规律，总结出潜在的面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术。