第三代半导体产业数字化公共服务平台

4月8日午间，士兰微(600460)披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯

国家知识产权局信息显示，黑龙江汇芯半导体有限公司申请一项名为一种集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块的专利，公开号CN

宽禁带半导体具有稳定的光电特性和高效的紫外光吸收能力，是紫外（UV）光电探测器的理想材料。然而，基于纯宽禁带半导体的光电探

4月2日下午，鲁晶半导体技术团队在徐文汇总经理的带领下，赴山东大学新一代半导体材料研究院开展碳化硅（SiC）功率器件技术交流

由智新半导体有限公司牵头起草的标准T/CASAS 041202X《基于感性负载的SiC 功率模块老化筛选试验方法》已完成征求意见稿的编制，

半导体产业网讯：在半导体材料领域，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其卓越的性能而备受关注。然而，高品质低成本

博世汽车电子中国区（ME - CN）在苏州五厂正式建成碳化硅（SiC）功率模块生产基地，这一里程碑式进展标志着博世在碳化硅功率模块生产领域迈入全新阶段。

3月11日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供

国家知识产权局信息显示，苏州创芯致尚微电子有限公司取得一项名为一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置的专利，授权公告号CN 22255

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”期间，浙江大学特聘研究员、博士生导师任娜带来”基于P型碳化硅衬底材料的结势垒肖特基二极管“的主题报告。

近日，2025功率半导体制造及供应链高峰论坛在重庆召开，天通银厦新材料有限公司副总经理兼CTO康森，带来了“大尺寸蓝宝石晶圆技术进展及其半导体领域的应用趋势”的主题报告

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”上，泰克科技大中华区技术总监张欣出席论坛，并带来”从参数测试到可靠性验证 新型功率器件的特性表征“的主题报告。

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”上，赛迈科先进材料股份有限公司CTO、副总经理吴厚政，做了“精细石墨元件：化合物半导体高质量产业化的关键支撑”的主题报告。

近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆召开。期间，“分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用“上，浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，带来了“大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展”主题报告。

2025功率半导体制造及供应链高峰论坛上，河南中宜创新芯发展有限公司董事长兼总经理孙毅，带来了“碳化硅半导体粉体进展”的主题报告。

国内功率半导体 IDM 企业士兰微电子宣布，其投资 70 亿元建设的厦门海沧区 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生产线（一期）已

2月28日，瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密

据海沧区融媒体中心消息，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目正式全面封

据海沧区融媒体中心消息，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目正式全面封

2月28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”，分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用”，围绕氮化镓、氧化镓功率半导体技术及应用，氮化镓、金刚石功率半导体技术及应用，氮化镓、氧化镓及金刚石功率半导体制造关键技术及装备等热点主题与方向深入分享探讨。