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天岳先进将继续秉持“先进 品质 持续”的理念，坚持自主创新，品质引领，为碳化硅行业的广阔发展贡献天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封装技术 I”分会上，加拿大多伦多大学电气与计算机工程系教授吴伟东做了“SiC 功率 MOSFET老化检测智能栅极驱动器”的主题报告，分享了相关研究进展。

安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术

期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司工艺主任工程师陈丹莹做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生长的CVD设备”的主题报告，分享了基于CFD模拟的SiC刀具设计优化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工艺结果等内容。

本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。

功率半导体测试系统解决方案创新领导者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2亿元战略融资

期间“第三代半导体标准与检测研讨会”上，深圳平湖实验室失效分析首席专家何光泽做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用”的主题报告，结合第三代半导体功率器件产业链与分析检测应用之关联，第三代半导体功率器件分析流程，具体介绍了无损分析，电性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–结构与缺陷观察等内容。

论坛期间的“第四届车用半导体创新合作峰会”上，安世半导体中国区SiC战略及业务负责人王骏跃，株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家、功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任刘国友，杭州士兰微电子股份有限公司功率系统应用技术高级经理朱晓慧，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳，英飞凌科技（中国）有限公司主任工程师张浩，长城汽车投资总监耿伟等专家们齐聚分享精彩报告，共同探讨新的发展趋势下，车用半导体创新合作发展。

2024年11月19日，在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称联盟）正

天科合达官微宣布，公司“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京顺利举行。

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

端到端垂直整合，提升市场竞争力安森美在SiC领域有着深厚的历史积淀，是目前为数不多具有端到端垂直整合能力的大型SiC供应商，包

国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为一种沟槽型SiC器件及其制备方法的专利，公开号CN 118888594 A，申

如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统

富特科技（301607）10月22日发布投资者关系活动记录表，公司于2024年10月22日接受2家机构调研，机构类型为其他。 投资者关系活动

烁科晶体SiC二期项目已顺利通过竣工验收，标志着该项目正式投产。

据方正微电子官微消息，10月16日，深圳方正微电子有限公司副总裁/产品总经理彭建华在发言中提到，方正微电子作为第三代半导体领

PowerAmerica执行董事兼首席技术官Victor Veliadis将出席论坛并做大会报告，分享“加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程”，并将在专题技术分会上，继续分享“在硅晶圆厂中制造SiC”的研究成果。

20亿！科友半导体SiC项目签约杭州

河北同光半导体股份有限公司取得一项名为“一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法“，