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中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告，分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。

摇橹船科技消息称:公司已成功研发出Micro LED晶圆检测设备,可帮助显示面板企业解决巨量芯片精准转移难、坏点检测难这两大导致Micro LED 技术难以大规模商用的“痛点”。本月,该设备将在国内某显示面板企业生产线上进行应用测试。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：

阳光电源高级工程师，中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告，分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战，以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。

热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。然而，开发一种能够充分利用金刚

包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。

近日，在国网嘉兴供电公司数智能源运营中心，工作人员下发柔性调控指令后，平湖市新仓镇新仓社区芦川花苑二期16号公变全部光伏客

当前，Micro-LED显示是备受关注的新一代显示技术，具备高质量显示的大多数特征；可以涵盖显示的所有应用场景，在超大尺寸、超高

十四五以来，基于自发光显示的微投影显示光学系统成为了研究热点。近日，在厦门召开的第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车

2023年11月28日，经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议，CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S

十四五开局之始，各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向，构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展十四

未来显示产品形态多样，功能要求严格，具有高度集成潜力的Mini/Micro LED显示技术脱颖而出。MicroLED可用作光电探测器来接收外部

Micro-LED技术应用已从大屏显示扩展到微显示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优势，已

2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开

作为智能交互的重要端口，新型显示已成为承载超高清视频、物联网和虚拟现实等产业的重要支撑和基础。同时也逐渐成为电子信息产业

2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开

Micro-LED是未来显示技术最重要的发展方向之一，MicroLED技术具有响应时间快、亮度高、色彩饱和度高等优势，但是需要解决制造工

Mini/Micro-LED技术已经在显示技术领域取得了显著的进展。大屏幕显示、可穿戴设备和智能手机、汽车显示系统、AR（增强现实）和VR