第三代半导体产业数字化公共服务平台

今日，意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于碳化硅（SiC）半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，

Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。

2011年，国内碳化硅产业的幼苗经历十余年发展完成了晶圆尺寸从2英寸往4英寸迭代，国内导电型碳化硅产品和技术布局刚开始，产业基

中国电科第四十八研究所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。

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北京大学教授于彤军做了“大尺寸AlN单晶生长研究”的主题报告，分享了SiC上AlN异质PVT生长的形貌控制和2-4英寸AlN同质PVT生长的最新研究进展。

自8月首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线以来，九峰山实验室持续攻克碳化硅工艺技术难关。近日，实验室在碳化硅超结领域取得新进展：

阳光电源高级工程师，中央研究院光储中小功率业务主管王昊做了”碳化硅功率器件在新能源领域的应用和挑战“的主题报告，分享了SiC器件在新能源行业应用的机遇、挑战，以及SiC器件在阳光电源应用的实践等内容。

热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。然而，开发一种能够充分利用金刚

包含中国一汽在内的27家创新联合体共建单位共同签署固态电池产业创新联合体。

近日，在国网嘉兴供电公司数智能源运营中心，工作人员下发柔性调控指令后，平湖市新仓镇新仓社区芦川花苑二期16号公变全部光伏客

近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车

2023年11月28日，经CASAS管理委员会第二届第二次会议决议，CASAS正式成立SiC功率器件与模块工作组、 GaN功率器件与模块工作组。S

世界500强企业贺利氏（Heraeus）近日收购了SiC衬底供应商Zadient的多数股份。作为德国高科技材料企业，贺利氏认为SiC衬底市场具

随着5G、碳中和、AI时代的来临，芯片市场需求激增，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的化合物半导体市场

香港科技园公司与微电子企业杰平方半导体签署合作备忘录 共同推动香港微电子产业发展10月13日 - 由创新科技及工业局和引进重点企

9月6-8日，三安半导体携碳化硅全产业链产品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行业关注，展示公司在第三代半导体研发和商业化进程

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第

该项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。

今年第二季度，国际半导体产业协会（SEMI）正式发布了碳化硅半导体外延晶片全球首个SEMI国际标准《4H-SiC同质外延片标准》（Spec