9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。国家第
科友半导体宣布，以其自主设备和技术研发的6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，业内领先。
山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目作为省优选和市、区重点项目，总投资6.9亿元，分两期建设，将生产4英寸及6英寸碳化硅衬底片。
合肥首个第三代半导体产业项目！世纪金光6英寸碳化硅项目正式落地
据《石家庄日报》报道，河北普兴电子科技股份有限公司石家庄外延材料产业基地一期项目目前正在施工中。
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